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    5g射頻芯片國產迎來轉機!華為5G射頻芯片落地
       5g射頻芯片國產迎來轉機!國內5個國產產品!G射頻芯片正式落地,美國出乎意料,作為世界上最先進的5G華為是世界上最早推出的5家公司G雙模芯片制造商,海思開發的5家nm麒麟芯片也將華為手機帶到了比例,甚至超過了蘋果的高度。然而,為了遏制華為的發展,美國多次修改規則,不僅切斷了海思芯片的OEM渠道,還限制了高通、博通等美國企業對華為的自由出貨。在西方的嚴密封鎖下,華為的手機業務幾乎被迫陷入絕境。短短一年多時間,市場份額從20.4%降至6.2%以下。雖然海思麒麟芯片仍有庫存,手機業務仍可維持,但由于射頻芯片斷供,華為被迫逆時代發布4G手機版本。2021年7月29日,華為P在50日的新聞發布會上,華為余承東無奈地表示:由于缺乏射頻前端模塊配件,我們的5G芯片只能作為4G來用。    眾所周知,5G手機需要一個特殊的天線和射頻前端。雖然天線和射頻接收并不難擊敗國內供應商,但射頻前端模塊是我們的一個主要缺點,我們仍然需要依靠海外制造商。顯然,射頻芯片已經成為華為手機的5部分G跑道上最大的堡壘。出乎意料的是,在這一時期獨立核心浪潮的推動下,中國市場最近傳播了5G射頻芯片的好消息。對此,不少網友表示,華為手機業務或將迎來轉機。據報道,國內科技巨頭富滿微于1月11日正式宣布,自研5G射頻前端芯片已進入量產階段。換句話說,國產5G射頻芯片相當于正式著陸。據知情人士透露,富滿微批量生產的射頻模塊產品的應用范圍是基于智能手機的各種電子產品。對于華為和其他所有國內手機制造商來說,這絕對是一個好消息。雖然華為暫時沒有與富滿微合作,但在西方的嚴格封鎖下,國內制造商沒有理由不共同發展,此時富滿微自主研發的射頻模塊產品對華為手機業務具有及時幫助的意義。  對于國內芯片行業來說,富滿微在射頻領域的突破也極其重要。與西方射頻模塊產品相比,富滿微國產5G射頻芯片可能還沒有達到國際頂級,但在關鍵時刻,也可以完全更換,在一定程度上可以避免“卡脖子”這種情況又發生了。更重要的是,隨著從零到一的突破,國內射頻技術將更快地回到頂峰。在這方面,美國也可能出乎意料。你知道,射頻技術領域不僅不是我們的弱點,而且也是我們的優勢。技術缺陷的原因是美國利用卑鄙的手段吸引了中國的射頻芯片專家,使我們的領先水平被超越。    諾思微是中國市場上第一家生產射頻芯片的公司,其行業地位并不弱于美國公司。其創始人張浩在射頻技術領域擁有多項知識產權。但令人憤怒的是,美國邀請張浩以無國界技術交流的名義前往美國,但張浩一下飛機就被美國和美國使用“罪行”非法拘留,然后通過各種手段竊取了張浩和諾思微的關鍵技術。雖然中國一直在施加壓力,從未放棄尋找射頻專家張浩,但不幸的是,到目前為止還沒有結果?! ≡谖鞣矫襟w看來,在這件事之后,我們將很難在射頻領域取得巨大的成就。但事實證明,老梅顯然低估了中國科學家的智慧和骨氣。射頻芯片的實施意味著對手在關鍵領域對我們的技術封鎖已經完全失去了意義??梢灶A測,華為5G手機業務的回歸和國產芯片的不斷崛起,以出口為主的美國半導體市場也必須是“使絆子”這一舉動付出了慘痛的代價。 
    2022-11-07 5次
    十大國產芯片品牌有哪些
      國產芯片品牌企業,包括芯片制造、芯片封測和芯片設計企業,近年快速發展,但是,國產芯片在快速上量的過程中,也暴露出一些問題,如品控體系脆弱,成本優勢和產能不足。他同時呼吁,國產芯片產業鏈資源整合,應該從散兵作戰到集團作戰,提高其競爭力。   隨著華為在芯片領域被國外鉗制,越來越多的國產廠家開始明白自主產權的重要性,于是都加大了研發經費,爭取研發出屬于自己的一套自己的國產產品。國產品牌越來越受到我們的重視而且也越來越受到消費者的喜歡!國產電腦也開始越來越受到人們的重視,注意,我這里說的國產電腦不是指品牌是國產的,而是指操作系統是國產的;芯片也是國產的;就連內置環境也是國產的,三者缺一不可!     中芯國際 作為國內優秀的芯片品牌制造商     - 兆易創意 中國芯片及儲存器企業,全產品產業鏈企業。     - 景嘉微電子品牌logo     - 紫光國微品牌logo 清華紫光集團旗下半導體品牌, 國內領先的半導體集成線路芯片企業。     - 三安光電品牌 全球LED芯片龍頭企業,LED芯片市場占據全球四成的份額。     士蘭徽 集成電路/芯片企業     北方華創     晶瑞股份 國內微電子化學品領先企業 涉足于光伏電池/半導體產業/平板顯示等     將豐電子         - 華長電科技 華天科技          
    2022-11-07 7次
    高效同步升壓芯片TPS61288
      TI TPS61088,這在當年是一款非常普及的升壓IC,做快充不必可少;直到一體化SOC普及后,大部分快充移動電源為了兼顧成本都選擇了更高集成度的方案。高效率同步升壓市場依然存在,比如藍牙音箱、LCD顯示屏等。于是TI推出了一款全新的同步升壓芯片TPS61288,與TPS61088相比,其性能更強、功率更大,并且封裝更小?! ?   TPS61288采用11引腳 2.5*3mm QFN封裝,芯片尺寸大幅減小,功率密度提高。這是一顆全集成的同步升壓轉換器,芯片內置6.5mΩ主開關和8.5mΩ同步整流管,可在便攜設備中提供小尺寸高效率的解決方案?! PS61288支持2.4-18V寬輸入電壓范圍,支持1或2串鋰電池,TPS61288具有15A開關電流能力,輸出電壓最高18V。支持輸出過壓保護,逐周期過電流保護和熱關斷?! ∠旅媸荰I William Zhang 分享的關于TPS61288作為無線音箱升壓變換器的方案介紹?! ?   一般地,非便攜式無線音箱直接由電源設配器供電,功率等級可達數十瓦至數百瓦不等,而便攜式無線音箱由電池供電,輸出功率通常只有數瓦至數十瓦,且常帶有一個4Ω或8Ω的喇叭?! 榱送瑫r滿足便攜性并為喇叭提供足夠的輸出功率,便攜式無線音箱通常配備2節可充電鋰離子電池,當輸出功率要求高于10W時,由于電池電壓不足以為后級的音頻功放提供足夠的功率,一般需要升壓電路將電池電壓升至12V~18V以滿足功率需求。上圖展示了典型的便攜式無線音箱供電系統示意圖?! ?   TPS61288延續了TPS61088的高度集成,芯片內部集成開關管和控制器,還采用TI專利的平滑開通/關斷時間控制,實現輕載時PWM模式到PFM模式的無縫過渡,實現全負載下無電壓漂移,滿足嚴苛的輸出電壓精度要求,并且能通過延長關斷時間大幅提升輕載效率?! PS61288內置的15A輸入限流,可以在單節鋰電池供電下輸出40W功率,可用于藍牙揚聲器為功放IC升壓供電,提高輸出功率。也可用于LCD顯示和PD等升壓應用,TPS61288的管腳位置得到優化,簡潔器件布局。 
    2022-11-07 3次
    硅光芯片突破摩爾極限高集成度、低成本
      什么是硅光和硅光芯片  硅光是以光子和電子為信息載體的硅基光電子大規模集成技術,能夠大大提高集成芯片的性能,是大數據、人工智能、未來移動通信等新興產業的基礎性支撐技術,可廣泛應用于大數據中心、5G、物聯網等產業。硅光芯片是通過標準半導體工藝將硅光材料和器件集成在一起的集成光路,主要由調制器、探測器、無源波導器件等組成,它可以將多種光器件集成在同一硅基襯底上?! 『唵蔚恼f這種采用微電子和光電子取長補短相融合的硅基光電子技術,能在原來的硅芯片上,讓微電子與光電子同時工作,彼此優勢互補,使其性能得到大幅提升。打個比方如果將融合了光電子和微電子的硅光芯片看成是一個聯合進行信息作戰的“兵團”,那么,在它納米量級的“戰場空間”上,光子、電子以及光電子器件等“士兵”進行協同作戰,在高速、驅動放大、讀出等“友軍”的積極配合下,高精尖的光電耦合封裝技術就會讓其形成功能模塊集成?! ?   硅光芯片的優勢  ● 集成強,整合易。硅基光電子技術利用大規模半導體制造工藝這一平臺,可在絕緣體薄膜硅片上,集成信息吞吐所需的各種光子、電子、光電子器件,包括光源、光波導、調制器、探測器和晶體管集成電路等,從而在一個小小的芯片上實現光電子技術和微電子技術的高效整合。在量子通信、數據中心、智能駕駛、消費電子等對尺寸更加敏感的領域,有很大的應用空間,將會顛覆性改變人們未來生活方式?!  駧挻?,速度快。在大數據時代,數據中心內的流量爆炸式增長,傳統銅電路傳輸顯得捉襟見肘。硅基光電子技術用光通路取代芯片間的數據電路,光模塊的大帶寬,不僅可降低能耗和發熱,還能實現大容量光互連,有效解決網絡擁堵和延遲等問題。同時,用激光束代替電子信號傳輸數據,可實現數據高速率傳輸。用戶與數據中心之間、芯片與芯片之間、計算機設備之間以及長距離通信系統的信息發送和接收,都將因此變得快速、穩定?!  衲芎纳?,成本低。得益于硅基材料高折射率、高光學限制能力的天然優勢,可將光波導寬度和彎曲半徑分別縮減至約0.4微米和2微米,使其集成密度相對更高。密度增高帶來的是芯片尺寸的縮減,這勢必會帶來低成本、低功耗、小型化等獨特優勢?! ?   我國硅光產業發展現狀  由于我國進入硅光領域較晚,目前主要通過并購或者與外企合作的模式切入,正處于追趕者的地位。我國目前在硅光領域開展布局的企業主要有華為、光迅科技、亨通光電、博創科技等。一直以來,我國硅光發展與發達國家仍存在差距。在設計、制備、封裝、測試等方面,存在架構不夠完善、硅光芯片大部分需要國外代工、硅光器件之間的耦合以及大密度集成等等問題?! ?   但是國家層面,支持硅光技術的利好政策紛至沓來,各地政府也紛紛入局。上海市明確提出發展光子芯片與器件,重點突破硅光子、光通訊器件、光子芯片等新一代光子器件的研發與應用,對光子器件模塊化技術、基于CMOS的硅光子工藝、芯片集成化技術、光電集成模塊封裝技術等方面的研究開展重點攻關。湖北省、重慶市、蘇州市等政府都把硅光芯片作為“十四五”期間的重點發展產業?! 〗Y語  硅光芯片作為新型科技,方興未艾。其發展很有可能徹底撼動芯片界。我國對于硅光芯片的研究也在不斷取得進步。讓我們拭目以待,來看看這小小芯片中所蘊涵的巨大能量。 
    2022-11-07 6次
    恒流源芯片如何提高LED在汽車應用中的可靠性
        由于LED是電流特性器件,即在飽和導通的前提下,亮度隨著電流大小的變化而變化,不隨著其兩端電壓的變化而變化。專用芯片的最大特點是提供恒流源輸出,保證LED的穩定驅動,消除LED的閃爍現象。具有輸出電流大、恒流等特點,適用于要求大電流、高畫質的場合,如戶外全彩屏、室內全彩屏等。在前一篇中提到,如果LED燈珠在其額定參數范圍內及有良好散熱的情況下使用,LED的使用壽命可以很長。下面以尾燈模塊(位置燈和剎車燈)為例,在簡化模塊設計的前提下,如何給LED提供一個正常穩定持續的工作環境,以及當燈珠或燈串出現故障時,診斷保護和故障報錯如何發揮作用。   1.恒流工作設定  在車載12伏系統中,通常電子模塊輸入電壓范圍大約在9-16伏。在這個相對比較寬泛電壓范圍內,與前置使用恒壓芯片的方案不同的是,使用線性恒流源驅動LED時,需要考慮在額定輸出電流情況下,最高輸入電壓時,線性驅動芯片上可以承受的最大功率?! D1是一個使用線性恒流源驅動,組成位置燈和剎車燈共用部分的結構?! ? 圖1 線性恒流源驅動:位置燈和剎車燈共用部分組成結構   2.調光  尾燈模塊中,當剎車燈和位置燈復用LED時,需要用到調光功能?! ≌{光分為模擬調光和數字調光?! ∧M調光:通過改變通過LED上的電流值來調節光源的亮度?! 底终{光:PWM占空比調光,即通過改變LED上的電流通斷時間來調節光源的亮度?! ∥矡糁谐S脭底终{光,相對模擬調光來說,數字調光精度更容易控制,而且LED的發光不容易產生色偏?! ∮捎趧x車燈和位置燈復用,在尾燈模塊中通常需要使用兩種數字調光的占空比。這時PWM信號可以有兩種來源:一種是來自外部BCM信號,另一種是尾燈模塊中有產生PWM信號的器件。有些驅動芯片(Basic和Basic+部分產品,英飛凌線性電流源系列)集成了PWM發生器,無需為產生 PWM 信號而增加微控制器或信號發生器。并且可以提供兩種占空比來實現剎車燈和位置燈復用功能。如圖1所示。當尾燈模塊中需要多個相同的PWM邏輯時,只使用一片帶有PWM發生器的驅動芯片輸出端,可以為級聯的多片驅動提供PWM信號輸入,達到在最大程度上簡化系統設計的目的。   3.診斷功能  LED燈珠常見故障模式包括開路和短路兩種模式。當幾個LED串聯使用時,故障模式包括開路,整串短路,以及單顆LED短路?! 〈蟛糠智闆r下,開路是占到LED 故障模式的80%,短路發生占比一般較小?! ? 開路檢測  線性恒流源驅動芯片通常采用對比供電電壓和輸出電壓的壓差方法來檢測是否發生開路?! ‘敊z測有開路發生時,可以做報錯,也可以做N-1功能(關閉同功能組的其他LED燈串)?! ? 整串短路  當驅動芯片檢測到輸出電壓低于短路電平閾值以下時,會關掉該路輸出,達到保護芯片和PCB電路板的目的?! ? 單顆短路  單個短路的情形相對上面兩種診斷來說難度更大一些。舉例,當三顆LED串聯情況下,其中一顆發生短路時的檢測方法如下。Basic+系列提供的方式是,以獨立的管腳連接電阻設定一個參考電壓,這個參考電壓設定應該在兩顆LED工作時的最大輸出電壓和三顆LED工作的最小輸出電壓之間。當發生單顆短路時,使用和整串開路/短路不同的故障處理方式,以便和這兩種故障加以區分。   4.保護功能  ? 過溫保護  當驅動芯片和LED布置在同一塊PCB板上時,為了防止由于LED或者驅動芯片本身的過熱帶來的溫升,芯片集成限制輸出電流功能,以達到最終限制LED和驅動芯片的發熱情況。當驅動 芯片結溫接近最高溫度前,逐步減小輸出電流直到零安倍。當結溫下降后,輸出功能可自動恢復。這其中也包括了過載情況的保護?! ? 圖2 高結溫時輸出電流降低曲線示意圖   5.故障處理  整車中尾燈模塊的電源上電和控制信號均來自于BCM,當尾燈運行時,如果發生故障時,報錯的反饋信息也是發送給BCM, 不同的BCM要求的報錯處理機制可能不盡相同。所以當尾燈模塊出現上述提到的情況, 會有以下不同的處理方式?! ¢_路或整串短路時  ?報錯后不關閉輸出  ?報錯后關閉輸出  ?報錯后延時關閉輸出  單顆LED短路時  ?報錯后不關閉輸出  ?報錯,延時重試,如錯誤持續,則延時關閉輸出,如錯誤消失則恢復輸出?! ?報錯后延時關閉輸出,報錯信息自鎖,驅動芯片相應管腳需要重置后,恢復輸出?! CM可以根據相關的報錯信息,區別不同的故障情況,對不同功能燈做相應后續處理?! ∩鲜龉收咸幚矸绞降牟煌M合,可以簡化模塊設計,使設計適應OEM的各種不同需求?! 【C上所述,利用智能線性驅動芯片的上述優勢,可以提高LED在汽車應用中的可靠性,優化模塊設計,實現最優成本控制。希望以上介紹能夠對大家使用相關產品有所幫助。 
    2022-11-07 4次
    華為海思“基帶芯片”傳出新進展,關乎基帶芯片流片
      射頻芯片相對基帶來說更加復雜,甚至和天線的擺放都有關聯。而無論是基帶還是射頻,蘋果都沒有技術支撐,通信基帶都掌握在通信巨頭手里,哪怕蘋果耗費巨資弄出基帶,依然繞不過高通的通信專利,所以綜合考慮后也只能選擇外掛基帶?! ”娝苤?,海思是華為旗下的一家芯片設計公司,它的能力在以往的芯片設計工作中就有所展現,尤其是其設計的麒麟系列芯片,更是為海思在全球芯片設計領域打響了名號?! 〉鞘艿矫绹夹g的限制,2020年9月之后華為海思所設計的芯片,就不能再繼續進行生產了。與此同時,海思自身的芯片設計能力,也受到了極大的限制。要知道,在以往的芯片設計過程中,海思使用的輔助設計軟件都是美國企業提供的。但是在這種情況下,華為海思并沒有放棄研發,根據統計數據顯示,海思研發投入占據了其總營收的21%,位居全球研發支出排名的第9位,依然保持著高水平的投入?! ≡缭谌A為受限初期,余承東就曾表示過,華為不會放棄海思。如今看來,華為做到了,近期華為在芯片上又傳出了新的進展,足以證明華為海思的研發工作依舊在繼續。根據消息稱,華為海思的芯片已經有了新進展,新一代的基帶芯片已經實現了流片??赡芎芏嗯笥褜τ谛酒牧髌惶私?,流片就是我們常說的風險試產。芯片設計出來之后,經過后仿真環節,就可以將設計文件送往相關的工廠,進行掩膜版的制作,之后就是進行流片。流片,我們可以簡單地認為是先制作幾顆,甚至幾十顆的芯片樣品來進行性能的驗證。如果驗證合格,下個步驟就是進入規?;慨a的環節。在這個過程中值得注意的是,流片的費用比芯片規?;a的費用要高得多,基本上在十幾萬到上百萬不等。如果流片失敗,不僅意味著高成本的流失,還將意味著芯片不能順利進入量產環節。所以流片這個環節,對于芯片設計企業來說是十分重要的。此次華為海思芯片的流片成功,預示著其下一步就要進入規?;慨a環節了,這絕對是一個振奮人心的好消息。消息稱,華為這次完成流片的芯片是基帶芯片,海思將該系列芯片命名為巴龍。這款巴龍系列芯片,以往發布的都收獲了不俗的表現,和美國芯片設計巨頭高通的基帶芯片相比,在實際運行中也略勝一籌。但是一直以來華為的基帶芯片,并沒有在全球占據較大的市場份額,在2018年,其僅占到7%的市場,這主要是因為至今為止基帶芯片采用的銷售模式造成的?;鶐酒梢苑譃橥鈷旎鶐酒图苫鶐酒?。目前在世界范圍內,高通等主要的基帶芯片企業生產的,幾乎都屬于外掛基帶,可以搭載大多數CUP芯片使用。而華為則不同,習慣用封裝的方式將其基帶芯片與自研CPU集成到一起。再加上,芯片的采購商用哪家的CPU芯片,一般就會采用哪家的基帶芯片,高通的CPU芯片供應量大,自然其基帶市場占比就高。而華為的麒麟芯片是不對外供應的,在這種情況下,外界的廠商想用華為基帶的可能性就會大大減小?! ?   即使是華為的基帶芯片性能略高于美國高通,但是廠商們最終還是會選擇高通的基帶芯片。不過這次華為新一代基帶芯片的流片完成,還是展現出了華為的通信實力,盡管華為海思目前依舊面臨著很多問題。作為一家成立于1991年,至今已經發展了30年之久的芯片設計企業,海思的實力已經不需要質疑了。但是處于芯片上游的輔助設計軟件EDA軟件,目前仍然受制于三家美國企業。國內的EDA軟件生產商,雖然也能在部分環節做到全球領先水平,但是整體競爭力和美國三家企業相比仍然存在差距。不過如今海思新一代的基帶芯片已經設計完成,就證明海思已經在這方面有了較為穩妥的解決辦法。但是海斯還面臨著芯片生產的問題。目前芯片流片完成,下一步就是進入生產環節,那由誰進行代工,就成為擺在海思面前最迫切的問題?! ≡?020年美國限制涉及自己技術的公司后,華為和許多企業停止了合作,包括OEM制造商臺積電。然而,在這方面,沒有進一步的消息,這意味著華為的芯片不能交給臺積電生產。國內公司是否有可能為華為OEM?目前,中國制造技術水平最高的公司是中芯國際,但中芯國際目前只能完成14nm芯片的批量生產。然而,中芯國際最近也傳出了7nm芯片即將進入風險試生產的消息,這意味著國內7nm芯片即將問世。雖然它無法與最先進的5nm芯片相比,但它仍然可以暫時處理華為芯片生產的一部分?,F在我們只能等待中芯國際的好消息。我相信,即使芯片不能完成生產,華為海思也不會放棄更先進的研發,所以華為可以在第一時間生產。 
    2022-11-07 7次
    光電芯片新制造技術取得突破
      光電芯片新制造技術取得突破傳統飛秒激光的光衍射極限,未來或可開辟光電芯片制造新賽道?!苯?,南京大學科研團隊發明的一種新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術,在下一代光電芯片制造領域取得重大突破?!  肮怆娦酒切畔⒓夹g的下一個制高點?!敝袊茖W院院士、南京大學教授祝世寧說,南京大學固體微結構物理國家重點實驗室較早探索該領域,已取得一系列國際領先的原始創新成果,“光電芯片有望成為我國率先突破的科技領域,我們應該對下一代技術更早地切入、更快地投入,爭取在未來有更多的發言權?!薄 ∽?000年起,祝世寧團隊就將光學超晶格研究從經典光學拓展至量子光學,經過多年開拓創新,已利用光學超晶格研制成功全球首枚高速調控的鈮酸鋰光量子芯片,實現了全球首個具有移動光學中繼的無人機光量子網絡試驗?!坝浀卯敃r我們輾轉南京、石家莊、蘭州等地進行實驗,克服了重重困難,終于在國際上首次實現通過無人機在兩個地面站之間進行糾纏光子分發?!薄 ?018年,祝世寧團隊在南京大學和南京江北新區支持下,創建了南智先進光電集成技術研究院(下稱“南智光電”),瞄準下一代光電芯片技術在基礎材料、器件工藝等方面的需求,開展研發工作。中紅外超晶格激光器、自由空間無人機高速通信系統、超構材料平面透鏡、高分辨光譜相機……4年來,在南智光電這一科研平臺上,科學家們將頭腦中的一個個“奇思妙想”轉變為現實。最近的突破性成果——新型“非互易飛秒激光極化鐵電疇”技術,把光雕刻鈮酸鋰三維結構的尺寸,從傳統的1微米量級,首次縮小到納米級,達到30納米,大大提高了加工精度。該技術有望用于光電調制器、聲學濾波器等關鍵光電器件在芯片上的制備,在5G/6G通訊、光計算、人工智能等領域有廣泛的應用前景?! ”娝苤?,半導體產業在上世紀五十年代起源于美國,其本土接連誕生了英特爾、高通、英偉達、AMD等一大批領跑業內的頂尖科技巨頭,美國也一直掌握著全球芯片市場的話語權?! ‰m然美本土制造業的大舉外遷導致美芯片企業在很大程度上依賴臺積電的代工,不過,整體來看,美半導體仍牢牢占據著全球最大芯片出口市場的位置?! ∫試鴥绕髽I為例,除了華為之外,其他絕大多數廠商,在PC、服務器以及智能手機等領域生產的產品設備,所采用基本都是英特爾或高通的芯片,這些美企拿走了其中的絕大部分利潤?! ∪欢?,美企在我國市場撈金的同時,老美卻又忌憚我國高科技的快速崛起,于是近些年開始不斷修改規則,通過“斷芯”的方式來打壓華為等中企,妄圖以此來鞏固它自己的科技“霸權”地位?! 〉绫葼柹w茨所說,不賣給中國芯片只會適得其反,不僅無法遏制中國科技的發展,反而還會促使他們加快自給自足的步伐,最終“買單”的只會是以出口為主的美半導體市場,得不償失?! ∈聦嵰驳拇_如此,在經歷了美芯帶來的“卡脖子”之痛后,國內市場就不再尋求“買辦”,而是走上了自主化的造芯之路,很多國內企業也認清了形勢,紛紛開始把可控的成熟芯片放在本土?! 》从^美半導體市場,受芯片規則限制以及半導體行業遭遇“寒冬”等因素影響,如今可謂一片哀鴻?! _資料顯示,自進入2022年以來,美半導體股價就開始連續下滑,呈現出一片綠油油的景象,而近段時間更是遭遇了“大雪崩”,各大美芯片巨頭幾乎無一幸免:AMD市值蒸發了14%、英偉達市值減少8.03%、英特爾縮水5.37%等等。一夜之間,這些美企總計損失了超過7000億!  更關鍵的是,美國芯片的價格也因“銷量下滑、庫存積壓”而徹底腰斬,去年賣到200塊錢的芯片,如今20塊錢都無人問津?! Υ?,有外媒表示:美國芯片時代開始落幕了。之所以這么說,不僅是因為美半導體市場如今的“慘狀”,更是由于美國的霸凌行為,讓美芯被打上了“不可靠”的標簽,全球各地都浩浩蕩蕩的掀起了“去美化”潮流?! ∪鐨W洲市場,斥資860億歐元成立“歐洲芯片聯盟”;印度拿出100億美元,鼓勵芯片研發;還有韓國,搭建了世界上臭的芯片IP平臺?! 【瓦B臺積電也牽頭組建了“3D Fabric聯盟”,名義上雖是為了推動3D封裝技術的發展,實則也是在為自己謀“出路”,減輕對EUV光刻機的依賴可以說是“去美化”的開端?! ‘斎?,最關鍵的還是我國芯片市場。據業內人士統計數據顯示,僅今年上半年,國內就生產了超過1900億顆芯片,雖然這些大都是成熟工藝,但卻也大幅降低了進口依賴。在前九個月時間里,中企累計砍單進口芯片多達620億顆!  值得強調的是,除了芯片國產化率不斷提升之外,在EDA軟件、光刻機、光刻膠等關鍵設備材料方面,國內也取得了不俗的成績?! 虾9俜綀蟮?,國內現階段已實現14nm芯片制程的量產,還有90nm光刻機、國產CPU、5G芯片技術等等,也都迎來了突破,可以說是“全面開花”?! ×硗?,國內還搭建了首條“多材料、跨渠道”的光子芯片產業,明年即可投產;封測大廠通富微電也突破了5nm芯粒技術。光子芯片和芯粒等先進封裝技術,讓我們“繞開EUV、沖擊高端芯片市場”看起來并非遙不可及?! ∵@意味著,美芯片企業未來所要面對的將不只是失去營收市場,因為隨著我們國產芯片的不斷崛起,在滿足國內需求的同時,未來也必然會走向全球,相比物美價廉的中國芯片,昂貴且缺乏契約精神的美芯,又能有幾何勝算? 
    2022-11-07 8次
    CMOS芯片攝像頭的核心-圖像傳感器
      CMOS芯片是圖像/視頻傳感器是網絡攝像頭最重要的部分。這里使用的傳感器是CMOS圖像傳感器。圖像傳感器的目的是將光信號轉換為電信號。CMOS傳感器由帶有放大器、噪聲校正和數字化電路的光電探測器陣列組成。它使用CMOS技術進行制造。CMOS傳感器的輸出是數字化信號。   CMOS圖像傳感器(CIS)它是將光子轉換為電子進行數字處理,將圖像信號轉換為數字信號的芯片,主要用于在數字相機、數字閉路電視相機和數字相機中建立圖像,是數字相機的核心部件。因為相機的功能包括拍照、拍攝、圖像識別、身份認證等,數字產品CMOS對圖像傳感器性能的要求也越來越高。一般來說,CMOS圖像傳感器主要由微透鏡、彩色濾光片四部分組成(CF),光電二極管(PD),像素設計?! MOS圖像傳感器具有良好的信號轉換能力,可以電荷直接從像素轉換為電壓,性能超過傳統CCD傳感器,目前,主流攝像頭都使用CMOS傳感器進行信號轉換,CMOS傳感器也廣泛應用于智能手機、數碼相機、自動駕駛、安全、IOT等領域?! MOS 圖像傳感器擁有較好的信號轉換能力,可以將直接在像素內將電 荷轉化為電壓,在性能上超過了傳統的 CCD 傳感器,當前,主流的攝像頭都使用 CMOS 傳感器進行信號轉換,CMOS 傳感器也被廣泛應用于智能手機、 數碼相機、自動駕駛、安防、IOT 等領域。 
    2022-11-07 6次
    華為5g芯片“斷鉤”?華為宣布明年或使用國產5G射頻芯片
      自2020年,漂亮國連續四輪制裁,華為的高速發展被按下了暫停鍵,全球范圍內有實力生產7nm制程以下的的工廠全部不能和華為進行繼續合作,所以有了那則臺積電連夜趕工,為華為生產麒麟9000芯片的新聞,在漂亮國的安排下,華為被扼住了生命的咽喉,這時候的華為,引以為傲的5G技術,芯片設計技術,因為各種專利制裁,技術封鎖,全部變成了紙上的圖案和文字,華為海思的5G芯片沒有工廠能夠代工,5G射頻芯片也沒有  手機業務是華為的重心,巔峰時期手機組成的消費者業務給華為貢獻超一半的營收?,F在運營商業務和企業業務成為了華為的營收主力?! 〉侨A為并沒有放棄對手機業務的開發,而且有英媒傳來消息稱,華為明年或發布5G手機,用上國產5G射頻芯片。具體怎么回事呢?華為5G有哪些破局方向?      英媒稱華為明年發布5G手機  華為手機業務的情況大家都清楚,這些年先是經歷了谷歌停止對GMS的授權,讓華為海外手機業務發展變局,后續谷歌也沒有對華為開放安卓系統的更新?! 」雀柽@些操作讓華為手機業務在軟件系統上受挫,不過這反而促使華為鴻蒙系統的落地。到現在鴻蒙系統已經有3億臺裝機量了。而在硬件方面,美國又展開動作,阻礙芯片代工和芯片供貨 ,其中涉及到美國技術的射頻芯片也不能自由出貨了?! ?   要知道射頻芯片是組成5G網絡的重要核心,沒有射頻芯片模塊的支持,手機只能使用4G網絡了?! ∵@是華為目前正在經歷的情況,市面上主要銷售的是4G手機,能銷售的5G手機要么是老機型,要么需要搶購,又或者屬于中低端類產品。什么時候回歸5G一直是廣大消費者的期待,以華為5G技術的實力,若能重新用上5G網絡,帶來的體驗肯定是非常出色的?! £P于什么時候回歸5G,有英媒傳來消息,稱華為正式宣布決定,明年發布5G手機,并用上國產的5G射頻芯片?! ?   這是要與美技術完全“斷鉤”?因為美國技術涵蓋射頻芯片產業鏈,所以對外采購這部分的芯片估計不太容易。那么就只有使用國產技術了,而且還需要做到核心技術化,從設計到制造都能做到自主可控?! ≈挥袧M足國產化的要求,才能讓華為5G回歸手機業務。如果英媒的消息屬實,無疑是滿足了許多人的期待?! ?   在5G市場的浪潮下,只有5G才能順應時代需求。賣4G手機并不是華為的意愿,華為作為全球領先的5G廠商,相信比任何人都希望用上5G網絡?! ‘斎?,英媒的消息有多少準確性,以及到時候華為能否用上5G手機,這些還需要時間給出答案。在此之前,我們要做的就是給華為足夠的時間,讓華為能夠按照規劃好的發展需求,去面向未來?! ∪A為5G的破局方向  華為手握大量的5G核心專利技術,是全球5G標準制定的重要參與者。綜合來看,5G并不是只有用在單一領域,那么華為5G有哪些破局方向呢?      首先是大力布局5G ToB業務?! ∪握钦f過,5G最大的作用是在ToB市場業務,如果只是用來提升大規模流量,那5G本身就失敗了?! ∈裁词荰oB?簡單來說就是面向企業用戶提供的服務,而消費者的是ToC。所以華為5G也會向企業用戶帶來高帶寬,低時延的優質解決方案,廣泛應用在醫療、交通、教育、工業、煤礦等等領域?! ”热缬?G技術進行遠程挖礦,降低人員下礦井產生的風險?! ?G ToB業務的市場潛力非常大,也會是未來5G行業發展的主要方向,華為已經獲得了3000多份5G ToB訂單,走在了行業的前頭,這項業務也是華為5G破局的方向之一?! ∑浯问谴蠹谊P注的消費者業務?! ∪A為5G用在消費者業務領域,主要體現在智能汽車的車聯網和智能手機的5G網絡等等。就能手機5G網絡來說,華為要想回歸5G網絡,并成為破局方向的話,解決方案其實是有的?! ?   要么押注國產射頻芯片發展,從產業鏈根源解決問題。要么使用配件,搭載5G通信殼,讓4G手機升級為5G。若使用5G通信殼,會額外增加一定的配件成本,就看消費者的個人意愿了?! ∪A為5G涉獵廣闊,并不是只在一個方向發展,不管是5G ToB業務還是面向消費者的5G手機產品,華為都不會放棄布局?! ∫环矫娉ㄩ_市場合作的大門,與各國運營商建立5G合作,另一方面堅持對手機業務的研發?! ?   不難發現,在這個過程中華為許多核心技術都得到了提升,有了更多自主可控的話語權。比如鴻蒙操作系統正在迎來生態崛起,還有智能汽車業務也通過ICT技術避免對外界產生依賴,不造車的決策給華為自由發揮市場的空間?! 】偨Y  根據英媒的消息顯示,華為明年會發布5G手機,還會用上國產的射頻芯片。這意味著著在關鍵的射頻技術領域要與外部技術“斷鉤”了。當然,消息是否屬實還需要拭目以待。但可以知道的是,華為會堅持到底,給消費者帶來更多,更好的產品服務。 
    2022-11-07 9次
    屬于國產射頻芯片的時代,各細分領域均有所突破
       國產射頻PA有望實現突破。4G到5G的演進過程中,射頻器件的復雜度逐漸提升,產品在設計、工藝和材料等方面都將發生遞進式的變化。國產射頻器件替代空間大,但困難也大。目前國內射頻芯片產業鏈已經基本成熟,從設計到晶圓代工,再到封測,已經形成完整的產業鏈。從國際競爭力來講,國內的射頻設計水平還處在中低端。國產射頻芯片公司擁有國內最齊全BAW濾波器系列產品,并在射頻模組化技術方面擁有獨特優勢,是中國大陸唯一一家射頻技術全覆蓋的公司。近年來,受益于國產替代浪潮的助推,開元通信也秉承技術創新、產品接地氣等優勢,自成立以來一路高歌猛進,并逐漸發展成國產射頻芯片行業的中堅力量。作為國內領先的射頻濾波器芯片、射頻接收模組廠商,開元通信一直以來都備受供應鏈客戶和資本方的認可。     一、國產射頻芯片從2G走到5G  作為模擬芯片皇冠上的明珠,射頻前端芯片技術難度高,研發時間長,尤其是射頻PA技術,長時間被國外所壟斷。曾幾何時,中國射頻前端芯片研發人才幾乎一片空白,國內資本對射頻前端芯片沒有概念,也沒有興趣。中國射頻前端芯片在艱難中一步一步走來,成為國產芯片中好的典范?! ⊥ㄟ^十幾年的奮斗與堅持,國產射頻前端芯片從2G走到了5G;在技術上,從落后國外廠商到齊頭并進,讓中國射頻前端芯片從此有了信心       2G時代  中國移動在1995年正式開通GSM網絡,2G通訊時代開始。直到2004年,銳迪科(RDA)成立才開啟國產射頻2G PA設計,也是國產射頻前端芯片零的突破。   3G時代  2008年第四季中國發放3G牌照,發放的3張3G牌照采用三個不同標準。根據電信業重組方案,3G牌照的發放方式是:新中國移動獲得TD-SCDMA牌照,新中國電信獲得CDMA2000牌照,中國聯通獲得WCDMA牌照。2010年6月,無錫中普微電子有限公司由兩位海歸回國創立,創始人曾工作于美國知名射頻芯片公司RFMD,推出了國內第一顆量產3G PA產品,中普微通過3G PA產品在2014年實現銷售額近一億元,成為國內當時最大的射頻芯片公司。后來,很多射頻前端芯片研發人才從這里走出。   4G時代  2013年11月,中國移動正式發售4G手機?! ?011年11月,慧智微成立,慧智微采用自主技術的可重構架構設計射頻前端,開創了技術創新的先河?! ?012年8月,卓勝微成立,通過射頻開關和LNA正式進入到射頻前端芯片領域?! ?012年9月,昂瑞微的前身貴州中科漢天下電子有限公司成立,早期主要從事COMS射頻功率放大器(PA)和MEMS射頻濾波器/雙工器的研發,后面進入到砷化鎵射頻PA研發?! ?015年5月,飛驤科技成立,成為一家專注射頻前端芯片和解決方案的公司?! ?017年4月,銳石創芯在深圳成立。創始人從美國Skyworks歸來,從事4G射頻PA研發。據當時的行業統計,2017年中國射頻前端芯片銷售額僅20億左右,約占中國市場的10%,僅占全球市場的4%。濾波器作為無源器件不在此統計范圍,國產濾波器占有率不到1%。   5G時代  2019年10月31日,三大運營商公布5G商用套餐,并于11月1日正式上線5G商用套餐。2020年是中國5G元年,也是全球5G元年。同年,國產5G射頻PA正式進入市場?! a2G PA晚了國外近十年,國產3G PA比國外廠商晚6年,國產4G PA比國外廠商晚5年,而國產5G PA幾乎與國外廠商同年推出?! ?021年昂瑞微、飛驤科技的Sub-3GHz分立Phase5N PA陸續在品牌手機上量產出貨?! ?nbsp;   二、國產射頻芯片從性能走到可靠性  一顆成熟的芯片需要走過三個階段:性能、一致性、可靠性?! a芯片從性能追趕國外芯片開始,再到追求一致性,最后到芯片可靠性,可靠性是質量管理體系的一個重要部分?! ∩漕l前端芯片產品集成度越高,通過可靠性測試難度也越大,對設計、晶圓和封裝的要求就越高,但國產射頻前端芯片就這樣一個產品接著一個產品地走過來了?! ⌒阅苤皇巧漕l芯片產品的第一步,一致性可以通過測試來把控,可靠性才是終極目標。在國內手機行業,華為和OPPO對可靠性的要求是最高的,甚至高過三星手機?! ∪A為和OPPO有完整的可靠性測試實驗室和測試設備,也有專門的第三方測試機構配合。多年前,行業客戶就有一個不成文的參考,只要華為和OPPO已經采用的芯片,就可以直接導入供應鏈。國產射頻前端芯片就是在國內手機大客戶的高標準和嚴要求下成長起來的,也和國產手機公司提供國產芯片機會與支持分不開的。   從技術上  技術是芯片的根本,規模是芯片技術發展的基礎。國產射頻芯片的發展和超越,要落實到技術和研發人才上?! ≈袊漕l芯片,一定是中國技術。國產射頻芯片的IP都是自己開發的,一個技術接著一個技術的攻破,一個難點接著一個難點的解決,靠著研發人員不斷流片和迭代,中國射頻芯片技術的發展是用時間和努力換來的。從2G到5G,射頻芯片技術越來越難,射頻芯片產品越來越復雜,經歷了10多年,終于在5G時代迎頭趕上。做射頻芯片,要學會和時間做朋友。   從產品上  2G、3G過去了,2G PA和3G PA已經是國產射頻芯片公司的天下。不管4G成為過去還是選擇留下,4G PA已經被國產射頻芯片公司所主導?! ?G正在來臨,國產射頻芯片公司與國外射頻芯片公司將在5G PA產品上一決高下??梢詮?G手機射頻前端方案來分析國產5G PA產品競爭力。有2種方案:  1.高端方案:采用L-PAMiD和UHB L-PAMiF?! ?.經濟方案:Sub-3GHz采用分立方案, phase2+phase5N PA+UHB L-PAMiF  L-PAMiD又分為Low L-PAMiD和MH L-PAMiD,這個產品目前國外廠家走在前面,除此之外,經濟方案中的產品,國產射頻芯片完全可以替代,而且在品牌手機客戶端已經逐漸替代?! 嶋H上,成本導向的手機方案更傾向于第2種方案,器件選擇的自由度高,成本上更有吸引力。如果這種趨勢沒有改變,那么國產射頻芯片已經成為名副其實的主角。 
    2022-11-07 9次
    1nm芯片是極限嗎?英特爾突然宣布已經突破了芯片的摩爾極限
      業界都認為硅基芯片的極限在1nm,對于硅基芯片而言,1nm就是摩爾極限,也就是說,硅基芯片的極限精度理論上只能達到1nm,但由于自然環境的限制,其實際精度永遠不可能達到1nm。而臺積電的先進工藝發展到3nm已面臨極大困難,臺積電的3nm量產時間比預期延遲了近一年,性能卻未達到預期,而且成本已高到許多芯片企業無法承受?! ∧壳?,臺積電已經研發出了3nm芯片制造,本以為自己已經獨占鰲頭,卻讓人沒有想到的是,近日英特爾突然宣布它們已經突破了芯片的摩爾極限,并且已經研發出三套方案,1nm不再是芯片精度的盡頭?! ?   這個消息對于人類科技而言是一項重大突破,但對于臺積電、三星等芯片制造商而言卻是悶頭一棒,因為他們壓根就沒有預料到在接下來的短時間內可能會被英特爾超越。都說當局者迷旁觀者清,當初臺積電、三星上交核心數據時,它們就應該清楚會有這樣的結局,而且小美早已經明確表態,要重新建立起自己在芯片制造產業領域的優勢,如今看來,它們真的做到了?! 『茱@然,英特爾能夠取得如今的成就,離不開臺積電、三星等企業的“支持”,甚至連荷蘭ASML最新一代的EUV光刻機也直接運輸到了英特爾,而不是臺積電,按照現在的趨勢,結局已經非常明顯了。對于臺積電而言,要如何做才能避免被超越呢?雖然辦法所剩無幾,但卻仍有退路。只要臺積電做好以下三點準備,在未來三年內也許仍舊可以牢牢坐穩頭把交椅?! 〉谝?,將產能分散化。我們都知道,臺積電目前大部分產能都分配給了北美市場,比如高通、蘋果就是其主要客戶,一旦英特爾達到了可以替代臺積電的地步,由于外力的驅使,這些美企必然會舍臺積電而去,所以現在臺積電必須做好準備,盡可能降低對北美市場的依賴。第二,取消赴美建廠的決定。明眼人都知道,小美邀請臺積電赴美建廠是“醉翁之意不在酒”,而其真正的目的是對其進行技術轉移,從而實現小美芯片產業的真正崛起,所以這個時候臺積電必須要對自己的技術守口如瓶,且規避任何可能泄露的風險?! 〉谌?,制定臺積電獨有的標準。隨著時代的發展,芯片市場被各大企業瓜分也是必然的事,且最終趨于平均。臺積電作為行業目前的佼佼者,要想長期保持優勢,就必須建立起自己的規則和標準,這樣便可以將一些渾水摸魚的競爭對手直接過濾掉。不管怎么說,英特爾能夠突破芯片的摩爾極限,那就說明它真正地把技術放在了第一位,而那些真正重視技術的企業,前景都將變得光明。所以,臺積電也該醒醒了,雖然其具備先進的芯片制程技術和設備,但畢竟臺積電還沒有實現完全自主,一旦小美擺脫了對它的依賴,“卡脖子”這種伎倆也怕很難避免?! ∪缃?,臺積電最大的競爭對手恐怕已不再是三星,英特爾已經揚言要在2024年之后超越臺積電,目前的種種跡象表明,英特爾確實有這樣的底氣和實力,所以臺積電必須早做準備,以防到時候措手不及。您認為呢? 
    2022-11-07 9次
    國產芯片有哪些品牌TOP10
      國產芯片有哪些品牌在新能源車企的身影在芯片投資領域的頻現足以顯示出其支持國產車載芯片的決心,有其支持,國產車載芯片上車速度將會加快。在CPU生產環節,目前所有國產通用CPU都無法做到完全國產化,這不是CPU設計企業的問題,而是整個半導體行業的問題。芯片生產技術和相關設備的研發投入大、見效慢,前些年大家迷信世界分工,沒有緊迫感。俄羅斯可完全自產的芯片制程停留在65nm,我國可以完全國產化的芯片制程也是差不多的水平。不過如果不要求完全自主,而僅僅要求“去美”化工藝,我國可以使用28nm工藝量產大芯片,而俄羅斯在保證成品率的條件下,僅能生產銀行卡、電子表中使用的小芯片。    TOP1、紫光集團    紫光集團有限公司是清華大學旗下的高科技企業。在國家戰略引導下,紫光集團以“自主創新加國際合作”為“雙輪驅動”,形成了以集成電路為主導,從“芯”到“云”的高科技產業生態鏈,在全球信息產業中強勢崛起。     TOP2、華為海思      海思半導體是一家半導體公司,海思半導體有限公司成立于2004年10月,前身是創建于1991年的華為集成電路設計中心。海思公司總部位于深圳,在北京、上海、美國硅谷和瑞典設有設計分部。海思的產品覆蓋無線網絡、固定網絡、數字媒體等領域的芯片及解決方案,成功應用在全球100多個國家和地區;在數字媒體領域,已推出SoC網絡監控芯片及解決方案、可視電話芯片及解決方案、DVB芯片及解決方案和IPTV芯片及解決方案。    TOP3、長電科技      長電科技是中國著名的分立器件制造商,集成電路封裝生產基地,中國電子百強企業之一,國家重點高新技術企業和中國自主創新能力行業十強(第一)。長電科技成立于1972年, 2003年在上交所主板成功上市。歷經四十余年發展,長電科技已成為全球知名的集成電路封裝測試企業?! ¢L電科技面向全球提供封裝設計、產品開發及認證,以及從芯片中測、封裝到成品測試及出貨的全套專業生產服務。長電科技致力于可持續發展戰略,崇尚員工、企業、客戶、股東和社會和諧發展,合作共贏之理念,先后被評定為國家重點高新技術企業,中國電子百強企業,集成電路封裝技術創新戰略聯盟理事長單位,中國出口產品質量示范企業等,擁有國內高密度集成電路國家工程實驗室、國家級企業技術中心、博士后科研工作站等。長電科技生產、研發和銷售網絡已覆蓋全球主要半導體市場。長電科技屬于國有企業。    TOP4、中芯國際    中芯國際集成電路制造有限公司,是世界知名的集成電路芯片代工企業之一,的集成電路芯片制造企業。主要業務是根據客戶本身或第三者的集成電路設計為客戶制造集成電路芯片。中芯國際是純商業性集成電路代工廠,提供 0.35微米到28納米制程工藝設計和制造服務。榮獲《半導體國際》雜志頒發的"2003年度最佳半導體廠"獎項。    TOP5、太極實業      無錫市太極實業股份有限公司前身為無錫市合成纖維總廠,創立于1987年。通過幾年的發展,具有相當技術和經濟實力。在國內有一定知名度和發展前途的技術先進型企業。公司先后開發出花色差別化長絲、丙纖煙用過濾絲束、滌淪簾子線等三大主體產品。1991年被評為中國500家最佳經濟效益工業企業之一,中國化學纖維工業50家最佳經濟效益工業企業第一名。公司目前主營業務包括半導體業務、工程技術服務業務、光伏電站投資運營業務和材料業務。半導體業務主要涉及IC芯片封裝、封裝測試、模組裝配及測試等;工程技術業務主要服務于電子高科技與高端制造,生物醫藥與保健,市政與路橋,物流與民用建筑,電力,綜合業務等6大業務領域;光伏電站的投資和運營業務于2014年開始逐步形成;材料業務的主要產品有滌綸工業長絲、浸膠簾子布和帆布等,現已形成年產36000噸滌綸工業長絲和年產20000噸浸膠簾子布、10000噸浸膠帆布的生產規模。    TOP6、中環股份      天津中環半導體股份有限公司(簡稱“中環股份”)是深交所上市公司。公司致力于半導體節能產業和新能源產業,是一家集科研、生產、經營、創投于一體的國有控股高新技術企業。目前旗下擁有5家高新技術企業、1家國家火炬計劃重點高新技術企業、4個省部級研發中心、一個博士后科研工作站,員工上萬人。目前,公司已形成了一個跨地域、跨領域、規?;?、國際化、多元化的發展態勢。未來,公司將堅持定位于戰略性新興產業,立足“環境友好、職工愛戴、客戶信賴、政府尊重”,以市場經營為導向,全國化產業布局、全球化商業布局,進一步實現可持續發展。    TOP7、振華科技    中國振華(集團)科技股份有限公司是中國振華電子集團公司為獨家發起人,以其優勢資產進行重組,即將發起人下屬之全資子企業程控交換機廠(以下簡稱程控廠)、 中國振華集團新云器材廠(以下簡稱新云廠)、中國振華集團宇光電工廠(以下簡稱宇光廠)和中國振華集團建新機械廠(以下簡稱建新廠)的部分生產經營性資產重組后募集設立的股份公司。    TOP8、納斯達      納思達股份,專業致力于打印顯像行業,成像和輸出技術解決方案以及打印管理服務的全球領導者,行業領先的打印機耗材芯片設計企業,是全球通用耗材行業的龍頭企業。擁有全球知名的激光打印機品牌“利盟”,利盟以中高端產品技術和打印管理服務見長,提供高價值打印服務解決方案,特別在歐美市場扎根很深。全球員工人數約為20000人。集團年銷售規模約300億元人民幣,產品覆蓋150多個國家?! ≈楹Y惣{集團,納思達股份的控股公司,研發和銷售工業級3D打印機。產品適用于彩色多材料的醫療教育培訓模型和手術規劃模型、珠寶首飾精鑄模型和彩色多材料個性化定制產品。2007年,聯想控股通過旗下君聯資本入股賽納?! ”紙D電子,納思達股份的控股股東擁有的激光打印機業務(奔圖品牌激光打印機),是中國擁有自主核心技術的打印機廠商。奔圖打印機被列入關鍵領域國產替代計劃的產品。利盟國際,是1991年從IBM分離出來的公司,深耕中高端打印機市場,堪稱打印機行業的"奔馳"。作為打印成像解決方案、硬件、商務流程和服務等領域公認的領先企業,在打印管理服務(MPS)、智能捕捉、企業內容管理、醫療行業內容管理、財務流程自動化和企業搜索等關鍵市場領域具有領先的競爭力。    TOP9、中興微電      深圳市中興微電子技術有限公司(以下簡稱“中興微電子”)于2003年注冊成立。中興微電子以通信技術為核心,致力于成為全球領先的綜合芯片供應商。經過十多年的發展,中興微電子已建立了一支高素質的研發和管理隊伍,研發人員超過2000人,在全球設有多個研發機構。截至2016年底,共申請IC專利超過3000件(其中PCT國際專利超過800件)。2017年中興微電子銷售規模達到66億,位于國內IC設計公司前三?! ≈信d微電子掌握國際一流的IC設計與驗證技術,擁有先進的EDA設計平臺、COT設計服務、開發流程和規范,自研芯片研發并成功商用的有100多種,覆蓋通訊網絡、個人應用、智能家庭和行業應用等“云管端”全部領域,在國內處于行業前列。未來,中興微電子將立足管道、拓展終端,同時布局大數據、云、物聯網和可穿戴市場,成為“云、管、端”全球領先的綜合性設計公司,為客戶提供更有競爭力的“中國芯”解決方案。    TOP10、華天科技      天水華天科技股份有限公司成立于2003年12月25日,2007年11月20日在深圳證券交易所掛牌上市交易?! 」局饕獜氖掳雽w集成電路封裝測試業務。目前公司集成電路封裝產品主要有DIP/SDIP、SOT、SOP、SSOP、TSSOP/ETSSOP、QFP/LQFP/TQFP、QFN/DFN、BGA/LGA、FC、MCM(MCP)、SiP、WLP、TSV、Bumping、MEMS等多個系列,產品主要應用于計算機、網絡通訊、消費電子及智能移動終端、物聯網、工業自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領域。公司集成電路年封裝規模和銷售收入均位列我國同行業上市公司第二位。 
    2022-11-07 14次
    國內芯片制造公司主要芯片設計原廠、晶圓代工、封測廠、材料廠商等
        一、芯片設計公司  在國內主要的芯片公司中,其中約一半公司辦公地址在上海,很多設計公司在上海均設有研發中心或辦公室。   注:排名無先后   二、晶圓代工制造廠  2021年底,上海共有20條已達產/待建設產線,其中產能規模最大的莫過于中芯國際及華虹半導體。 注:排名無先后   中芯國際作為現在國內大陸地區在芯片制造領域的領頭羊,不僅僅擁有最多的產能,在先進制程方面,已經實現了14nm制程的量產。在國外對中國半導體行業不斷封鎖的大背景下面,中芯國際的重要性可以說不言而喻?! ≈行緡H公布2021年度未經審計的營業收入為356億元,凈利潤為107億元。營收、利潤雙增。按照公開信息, 28nm 及以下成熟制成仍舊占據了大比例營收?! ≈行緡H收入來自 0.18/0.15μm 制程、以及 55/65nm40/45nm 制程的部分,分別對應電源管理芯片、指紋識別芯片、圖像傳感器以及 NOR Flash、應用處理器、WiFi 藍牙射頻芯片等應用,主要客戶包括華為、高通、博通、格科微、兆易創新等?! ∪A虹集團作為國內最早一批進入芯片制造領域的企業,現在已經成長一家覆蓋芯片制造、設計、元器件等各個領域的集成電路綜合性企業?! ∪A虹半導體是全球領先的特色工藝純晶圓代工企業,專注于嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等“8英寸+12英寸”特色工藝技術的持續創新,先進“特色IC+Power Discrete”強大的工藝技術平臺有力支持物聯網等新興領域應用,亦滿足汽車電子芯片生產的嚴苛要求。量產工藝覆蓋1微米到28納米各主要技術節點,其中嵌入式非易失性存儲器方面,公司工藝技術能力和規模在全球范圍內保持領先,IC卡芯片晶圓制造規模全球最大,功率半導體方面公司擁有世界一流的深溝槽超級結工藝技術以及車規級的IGBT生產技術。華虹下游客戶陣容豪華,合作穩定黏性很強。華虹半導體客戶主要為國內設計廠商為主,在主要產品功率半導體及MCU產品方面,主要客戶包括新潔能(IGBT及超級結)、斯達半導(IGBT)、艾為電子(MCU);射頻器件主要客戶為國內龍頭設計商卓勝微;CIS主要客戶涵蓋格科微及豪威科技(韋爾股份)。   三、封測廠  封測廠相較晶圓廠是勞動力密集的行業,上海的封測廠有安靠(上海)、上海凱虹科技有限公司(Diodes子公司,產品為功率器件)、日月光(上海)、紫光宏茂、晟碟半導體(上海)有限公司(Sandisk子公司,產品為Flash)等?! ? 注:排名無先后   四、半導體材料廠商  除了晶圓、封測、設計外,上海亦是半導體材料的重鎮。其中滬硅產業、上海新傲、上海新昇、上海新陽材料、上海合晶、等多家半導體材料企業位于上海?! ? 注:排名無先后   滬硅產業主要從事半導體硅片的研發、生產和銷售,是中國大陸規模最大的半導體硅片制 造企業之一,是中國大陸率先實現 300mm 半導體硅片規?;N售的企業。滬硅產業自設 立以來,堅持面向國家半導體行業的重大戰略需求,堅持全球化布局,堅持緊跟國際前沿 技術,突破了多項半導體硅片制造領域的關鍵核心技術,打破了我國 300mm 半導體硅片 國產化率幾乎為 0%的局面?! ?            五、半導體設備廠商  上海也有很多的半導體設備廠商,比如中微半導體公司、盛美半導體、上海微電子、至純科技、萬業企業等多家優秀企業在上海?! ?   注:排名無先后 
    2022-11-07 14次
    帶寬應用中零漂移放大器注意事項
      零漂移運算放大器使用斬波、自穩零或這兩種技術的結合來消除不需要的低頻誤差源,例如失調和1/f噪聲。傳統上,此類放大器僅用于低帶寬應用中,因為這些技術在較高頻率時會產生偽像。只要系統設計時考慮了高頻誤差,例如紋波、毛刺和交調失真(IMD)等,較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運算放大器的出色直流性能?! ×闫萍夹g  1斬波背景第一種零漂移技術是斬波,它將誤差調制到較高頻率,從而將失調和低頻噪聲與信號內容分離?! D1顯示了(b)斬波如何將輸入信號(藍色波形)調制到方波,在放大器中處理該信號,然后(c)將輸出端信號解調回直流。與此同時,放大器中的低頻誤差(紅色波形)在(c)輸出端被調制到方波,然后(d)通過低通濾波器(LPF)濾波?! ? 圖 1. 在 (a) 輸入、(b) V1、(c) V2 和 (d) VOUT 端的信號(藍色)和誤差(紅色)的時域波形  同樣,在頻域中,輸入信號(圖2中的藍色信號)被(b)調制到斬波頻率,在fCHOP由增益級處理,(c)在輸出端解調回直流,最后(d)通過LPF。放大器的失調和噪聲源(圖2中的紅色信號)在DC頻率通過增益級處理,(c)由輸出斬波開關調制到fCHOP,最后(d)由LPF濾波。由于采用方波調制,因此調制發生在調制頻率的奇數倍附近?! ? 圖 2. 在 (a) 輸入、(b) V1、(c) V2 和 (d) VOUT 端的信號(藍色)和誤差(紅色)的頻域頻譜  從頻域和時域圖中均可看出,由于LPF不是理想的磚墻濾波器,因此調制噪聲和失調會造成一定的殘留誤差?! ?自穩零背景第二種零漂移技術自穩零,也是一種動態校正技術,其工作原理是采樣并消除放大器中的低頻誤差源?! D3顯示了基本自穩零放大器的例子。它由具有失調和噪聲的放大器、重新配置輸入和輸出的開關以及自穩零采樣電容組成?! ? 圖 3. 基本自穩零放大器  在自穩零階段(?1),電路的輸入短接到一個公共電壓,自穩零電容對輸入失調電壓和噪聲進行采樣。請注意,在此階段,放大器無法用于信號放大。為使自穩零放大器以連續方式運行,必須讓兩個相同通道交錯。這稱為乒乓式自穩零?! ≡诜糯箅A段(?2),輸入連接回信號路徑,放大器又可用于放大信號。低頻噪聲、失調和漂移通過自穩零來消除,剩余的誤差為誤差的當前值與前一樣本之差。由于低頻誤差源從?1到?2變化不大,因此這種減法效果很好。另一方面,高頻噪聲混疊到基帶,導致本底白噪聲提高,如圖4所示?! ∮捎谠肼曊郫B以及需要額外通道以支持連續工作,因此對于獨立的運算放大器,斬波可能是更有效的零漂移技術?! ?斬波偽像盡管斬波可以很好地消除不需要的失調、漂移和1/f噪聲,但它會產生不必要的交流偽像,例如輸出紋波和毛刺。ADI公司最近的零漂移產品已采取措施來減小這些偽像,并使其位于較高頻率,使得系統級濾波更容易?! ?紋波偽像斬波調制技術將低頻誤差移至斬波頻率的奇數次諧波,因此紋波是這種技術的后果。放大器設計人員采用許多方法來降低紋波的影響,包括:  ●生產失調微調:通過執行一次性初始微調,可以顯著降低標稱失調,但失調漂移和1/f噪聲仍然存在?!  駭夭ê妥苑€零結合:放大器先自穩零,然后執行斬波,以將提高的噪聲譜密度(NSD)上調制到更高頻率。圖4顯示了斬波和自穩零后得到的噪聲頻譜?! ? 圖 4. 噪聲 PSD:斬波或自穩零之前,自穩零之后,斬波之后,斬波和自穩零之后  ●自動校正反饋(ACFB):可以使用本地反饋環路來檢測輸出端的調制紋波,并在其來源處消除低頻誤差?! ?毛刺偽像毛刺是由斬波開關的電荷注入不匹配引起的瞬態尖峰。此類毛刺的幅度取決于許多因素,包括源阻抗和電荷不匹配量。毛刺尖峰不僅會在斬波頻率的偶數次諧波處引起偽像,而且會產生與斬波頻率成比例的殘余直流失調。圖5(左)顯示了這些尖峰在圖1中的V1(斬波開關內部)和V2(輸出斬波開關之后)處的外觀。在斬波頻率的偶數次諧波處的額外毛刺偽像是由有限放大器帶寬引起的,如圖5(右)所示?! ? 圖 5.(左)圖 1 中的 V1(斬波開關內部)和 V2(斬波開關外部)處的電荷注入導致的毛刺電壓;(右)圖 1 中 V1 和 V2 處的有限放大器帶寬引起的毛刺  與紋波一樣,放大器設計人員也有降低零漂移放大器中的毛刺影響的技術:  電荷注入微調:可以將可調整電荷注入斬波放大器的輸入端,以補償電荷不匹配,從而減少運算放大器輸入端的輸入電流量?! 《嗤ǖ罃夭ǎ哼@不僅減小了毛刺幅度,而且還將其移至更高頻率,使濾波更加容易。與簡單地在更高頻率執行斬波相比,該技術導致毛刺更頻繁,但幅度較小。圖6將典型的零漂移放大器與 ADA4522進行了比較,后者使用該技術顯著降低了毛刺的影響?!   ? 圖 6. ADA4522 中的電壓尖峰降低到本底噪聲    圖 7. 斬波器放大器偽像,包括上調制紋波和電荷注入毛刺  總結一下,圖7顯示了斬波放大器的輸出電壓,其中包含:  ●紋波,由斬波頻率奇數倍處的上調制失調和1/f噪聲引起?!  衩?,由斬波開關的電荷注入不匹配和有限放大器帶寬在斬波頻率的偶數倍處引起?! ∠到y級考慮因素  在數據采集解決方案中使用零漂移放大器時,務必了解頻率偽像的位置并作出相應的規劃?!  ぁ ≡跀祿謨灾胁檎覕夭l率  ·  數據手冊通常會明確說明斬波頻率,但通過查看噪聲頻譜圖也可以確定斬波頻率。ADI公司最新的幾款零漂移放大器的數據手冊顯示了偽像在頻譜中發生的位置?! DA4528 數據手冊不僅在“應用信息”部分明確說明了200 kHz的斬波頻率,而且這也可以在圖8所示噪聲密度曲線中清楚地看出?! ? 圖 8. ADA4528 的噪聲密度曲線  在ADA4522數據手冊的“工作原理”部分中,斬波頻率為4.8 MHz,失調和紋波校正環路工作在800 kHz。圖9顯示了ADA4522的噪聲密度,其中可以看到這些噪聲峰值。在單位增益時,由于環路的相位裕量較低,在6 MHz處也有一個噪聲凸起,這不是零漂移放大器所獨有的?! ? 圖 9. ADA4522 的噪聲密度曲線  務必記住,數據手冊中描述的頻率是一個典型數值,可能因器件而異。因此,如果系統需要兩個斬波放大器進行差分信號調理,請使用雙通道放大器,因為兩個單通道放大器在斬波頻率方面可能略有不同,因而可能相互作用并引起額外的IMD?!  ぁ ∑ヅ漭斎朐醋杩埂  ぁ ∨c輸入源阻抗相互作用的瞬態電流毛刺可能會導致差分電壓誤差,從而可能在斬波頻率的倍數處產生額外的偽像。圖10顯示了ADA4522在源電阻不匹配情況下的噪聲密度曲線(底部)。為了解決這一潛在的誤差源,系統設計人員應確保斬波放大器的每個輸入看到的阻抗相同(頂部)?! ? 圖 10. ADA4522 中的噪聲:輸入源電阻匹配(頂部)和不匹配(底部)  ·  IMD和混疊偽像  ·  使用斬波放大器時,輸入信號可能與斬波頻率fCHOP混頻,從而在fIN ± fCHOP、fIN ± 2fCHOP、2fIN ± fCHOP…處產生IMD。這些IMD產物可能出現在目標頻段中,尤其是當fIN接近斬波頻率時。為了消除此問題,請選擇斬波頻率遠大于輸入信號帶寬的零漂移放大器,并確保在此放大器級之前濾除頻率接近fCHOP的干擾信號?! ∈褂肁DC對放大器輸出進行采樣時,斬波偽像也可能發生混疊。圖11顯示了ADC采樣時毛刺頻率混疊產生的IMD產物示例。這些IMD產物依賴于毛刺和紋波幅度,并且可能因器件而異。設計信號鏈時,有必要在ADC之前使用抗混疊濾波器以減少此IMD?! ? 圖 11. IMD 的一個示例,其中 ADC 對毛刺采樣,并在 fSAMPLE – 2fCHOP 處引起混疊?! ?nbsp;  斬波偽像濾波  在系統層次上,處理這些高頻偽像的最有效辦法是濾波。零漂移放大器和ADC之間的LPF減少了斬波偽像,并避免了混疊。因此,具有更高斬波頻率的放大器可放寬對LPF的要求,并支持更寬的信號帶寬?! ±?,圖13顯示了ADA4522使用圖12所示不同技術來減輕斬波偽像的效果:提高閉環增益,后置濾波,以及并聯使用電容和反饋電阻。  圖 12. 濾除偽像的放大器配置    圖 13. ADA4522 NSD,使用頂部顯示的一階濾波器方法:(左)提高增益會降低放大器帶寬,濾波器濾除噪聲尖峰;(右)使用 RC 濾波器。   根據系統對頻帶抑制的需求,可能需要一個更高階有源濾波器。ADI公司有許多資源可幫助設計濾波器,包括多重反饋濾波器教程和在線濾波器設計工具?! ×私鈹夭▊蜗癜l生的頻率可以幫助創建所需的濾波器。表1列出了零漂移放大器引起的交流偽像的位置?! ?    結論  通過了解零漂移放大器中的高頻偽像,系統設計人員可以更有信心地將零漂移放大器用于更寬帶寬的應用。系統設計考量因素包括:  ●零漂移放大器輸入端的源輸入阻抗應匹配  ●使用雙通道放大器進行差分信號調理  ●在數據手冊噪聲頻譜中找到偽像的頻率  ●設計濾波器以降低動態降失調技術所引起的高頻偽像的影響  ●了解頻域中的高頻偽像并作出合理規劃 
    2022-11-07 7次
    降低電路硬件壓力系統解決方案
      系統架構師和電路硬件設計人員針對最終應用(如測試和測量、工業自動化、醫療健康)需求,往往要耗費大量研發資源來開發高性能、分立式精密線性信號鏈模塊,以實現測量和保護、調節和采集或合成和驅動。本文將重點討論精密數據采集子系統,如圖1所示?! ?   圖1. 高級數據采集系統框圖  隨著研發預算和上市時間的不可預測,電子產業發生了變化。(TTM)控制越來越嚴格,用于構建模擬電路和制作原始形狀來驗證其功能的時間越來越少。散熱性能和印刷電路板(PCB)在密度有限的情況下,硬件開發人員需要通過縮小尺寸的復雜設計提供先進的精密數據轉換性能和更高的魯棒性。通過系統級包裝(SiP)技術的異構集成繼續推動電子產業向更高密度、更多功能、更強的性能和更長的平均無故障時間發展。本文將介紹ADI公司如何利用異質集成改變競爭環境,提供對應用產生重大影響的解決方案?! ∠到y設計師面臨著許多挑戰,不僅需要為最終原型選擇設備和優化設計,還需要滿足驅動的要求ADC輸入,保護ADC輸入以避免壓力事件的影響,最大限度地降低系統功耗,并使用低功耗微處理器和/或數字隔離器來實現更高的系統吞吐量。OEM更加關注系統軟件和應用程序,以創建一個獨特的系統解決方案,并將更多的資源分配給軟件開發,而不是硬件開發。這增加了硬件開發的壓力,需要進一步減少設計迭代。開發數據采集信號鏈的系統設計人員通常需要高輸入阻抗才能與各種傳感器直接接口,這些傳感器可能具有變共模電壓、單極或雙極單端或差分輸入信號。通過圖2全面分析使用分立器件實現的典型信號鏈,了解系統設計人員的一些主要技術難點。圖為精密數據采集子系統的關鍵部分,其中20個Vp-p儀表放大器導出施加全差分放大器(FDA)同相輸入FDA提供必要的信號調理,包括電平轉換、信號衰減、0導出擺幅V和5V導出共模電壓為2.5V,相反,這樣做ADC輸入提供10Vp-p區分信號,以最大限度地擴大其動態范圍。選用儀表放大器?!?5V雙電源供電,而FDA由5V/–1V供電,ADC由5V電源供電。使用反饋電阻。(RF1=RF2)增益電阻(RG1=RG2)的比率,將FDA增益設置為0.5。FDA的噪聲增益(NG)定義為:      其中β1和β2為反饋系數:          圖2. 典型數據采集信號鏈的簡化原理圖?! ”竟潓⑻接慒DA周圍的電路不平衡(即β1 ≠ β2)或反饋和增益電阻(R G1 、R G2 、R F1 、R F2 )的不匹配對SNR、失真、線性度、增益誤差、偏移和輸入共模抑制比等關鍵技術參數有何影響。FDA的差分輸出電壓取決于V OCM ,因此,當反饋系數β1和β2不相等時,輸出幅度或相位的任何不平衡都會在輸出端產生不良共模成分,這些共模成分以噪聲增益放大后,會導致FDA的差分輸出中存在冗余噪聲和失調。因此,增益/反饋電阻的比值必須匹配。換言之,輸入源阻抗和RG2 (RG1)的組合應匹配(即β1 = β2),以避免信號失真和各輸出信號的共模電壓失配,并防止FDA的共模噪聲增加。要抵消差分失調并避免輸出失真,可添加一個與增益電阻(RG1)串聯的外部電阻。不僅如此,增益誤差偏移還受電阻類型的影響,例如薄膜、低溫度系數電阻等,而在成本和電路板空間受限的情況下尋找匹配的電阻并不容易?! 〈送?,由于額外成本和PCB上的空間有限,很多設計人員在創建單數雙極性電源時遇到不少麻煩。設計人員還需要仔細選擇合適的無源器件,包括RC低通濾波器(放在ADC驅動器輸出和ADC輸入之間)以及用于逐次逼近寄存器(SAR) ADC動態參考節點的去耦電容。RC濾波器有助于限制ADC輸入端噪聲,并減少來自SARADC輸入端容性DAC的反沖。應選擇C0G或NP0型電容和合理的串聯電阻值,使放大器保持穩定并限制其輸出電流。最后,PCB布局對于保持信號完整性以及實現信號鏈的預期性能至關重要?! 『喕蛻舻脑O計進程  許多系統設計人員最終都是為相同的應用設計不同的信號鏈架構。然而,并非所有設計都適用同一種信號鏈,因此ADI公司提供具有先進性能的完整信號鏈μModule?解決方案,專注于信號鏈、信號調理和數字化的通用部分,以此彌補標準分立器件和高度集成的客戶特定IC之間的缺口,幫助解決主要難點。ADAQ4003是SiP解決方案,較好地兼顧了降低研發成本和縮減尺寸兩方面因素,同時加快了原型制作?! DAQ4003 μModule精密數據采集解決方案采用ADI的先進SiP技術,將多個通用信號處理和調理模塊以及關鍵無源器件集成到單個設備中(見圖5)。ADAQ4003包括低噪聲、FDA、穩定的基準電壓源緩沖器和高分辨率18位、2 MSPS SAR ADC?! DAQ4003通過將元件選擇、優化和布局從設計人員轉移到器件本身,簡化了信號鏈設計,縮短了精密測量系統的開發周期,并解決了上一節討論的所有主要問題。FDA周圍的精密電阻陣列使用ADI專有的 i Passives?技術構建,可解決電路不平衡問題,減少寄生效應,有助于實現高達0.005%的出色增益匹配,并優化漂移性能(1 ppm/°C)。與分立式無源器件相比,iPassives技術還具有尺寸優勢,從而最大限度地減少了與溫度相關的誤差源,并減少了系統級校準工作。FDA提供快速建立和寬共模輸入范圍以及精確的可配置增益選項(0.45、0.52、0.9、1或1.9)性能,允許進行增益或衰減調節,支持全差分或單端到差分?! DAQ4003在ADC驅動器和ADC之間配置了一個單極點RC濾波器,旨在最大限度地減少建立時間,增加輸入信號帶寬。此外為基準電壓節點和電源提供了所有必要的去耦電容,以簡化物料清單(BOM)。ADAQ4003還內置一個配置為單位增益的基準電壓緩沖器,用于驅動SAR ADC基準電壓節點和相應去耦電容的動態輸入阻抗,實現優化性能。REF引腳上的10 μF是在位判斷過程中幫助補充內部電容DAC電荷的關鍵要求,對于實現峰值轉換性能至關重要。與許多傳統SAR ADC信號鏈相比,通過內置基準電壓緩沖器,由于基準電壓源驅動高阻抗節點,而不是SAR電容陣列的動態負載,因此用戶可以實現功耗更低的基準電壓源。而且可以靈活選擇與所需模擬輸入范圍匹配的基準電壓緩沖器輸入電壓?! ⌒〕叽绾喕薖CB布局并支持高通道密度  與傳統分立式信號鏈相比(如圖3所示),ADAQ4003的7 mm × 7 mmBGA封裝尺寸至少縮減了4倍,可在不犧牲性能的情況下實現小型儀器儀表?! ?   圖3. ADAQ4003 μModule器件與分立信號鏈解決方案的尺寸對比?! ∮∷㈦娐钒宀季謱τ诒3中盘柾暾砸约皩崿F信號鏈的預期性能至關重要。ADAQ4003的模擬信號位于左側,數字信號位于右側,這種引腳排列可以簡化布局。換言之,這樣設計人員就能夠將敏感的模擬部分和數字部分保持分離,并限制在電路板的一定區域內,避免數字和模擬信號交叉以減輕輻射噪聲。ADAQ4003集成了用于基準電壓源(REF)和電源(VS+、VS?、VDD和VIO)引腳的所有必要的(低等效串聯電阻(ESR)和低等效串聯電感(ESL))去耦陶瓷電容。這些電容在高頻時會提供低阻抗接地路徑,以便處理瞬態電流?! o需外部去耦電容,沒有這些電容,也就不會產生已知的性能影響或任何EMI問題。通過移除用于形成板載供電軌 的基準電壓源和LDO穩壓器輸出端的外部去耦電容,在 (REF, VS+, VS?, VDD, 和 VIO)ADAQ4003評估板上可以驗證這一性能影響。圖4顯示了不論使用還是移除外部去耦電容,雜散噪聲都被隱藏在低于?120 dB的本底噪聲下。ADAQ4003采用小尺寸設計,可實現高通道密度PCB布局,同時減輕了散熱挑戰。但是,各器件的布局和PCB上各種信號的路由至關重要。輸入和輸出信號采用對稱路由,同時電源電路遠離單獨電源層上的模擬信號路徑,并采用盡可能寬的走線,對于提供低阻抗路徑、減小電源線路上的毛刺噪聲影響以及避免EMI問題尤其重要?! ?   圖4. 提供短路輸入ADAQ4003 FFT,在移除各個供電軌的外部去耦電容前后性能保持不變?! ∈褂酶咦杩筆GIA驅動ADAQ4003  如前所述,通常需要高輸入阻抗前端才能直接與各種類型的傳感器連接。大多數儀器儀表和可編程增益儀表放大器(PGIA)具有單端輸出,無法直接驅動全差分數據采集信號鏈。但是, LTC6373 PGIA提供全差分輸出、低噪聲、低失真和高帶寬,可直接驅動ADAQ4003而不影響精密性能,因此適合許多信號鏈應用。LTC6373通過可編程增益設置(使用A2、A1和A0引腳)在輸入端和輸出端實現直流耦合?! ≡趫D5中,LTC6373采用差分輸入至差分輸出配置和±15 V雙電源。根據需要,LTC6373也可采用單端輸入至差分輸出配置。LTC6373直接驅動ADAQ4003,其增益設置為0.454。LTC6373的V OCM 引腳接地,其輸出擺幅在?5.5 V和+5.5 V之間(相位相反)。ADAQ4003的FDA對LTC6373的輸出進行電平轉換以匹配ADAQ4003所需的輸入共模,并提供利用ADAQ4003 μModule器件內ADC最大2倍V REF 峰值差分信號范圍所需的信號幅度。圖6和圖7顯示使用LTC6373的各種增益設置的SNR和THD性能,而圖8顯示圖5所示電路配置的±0.65 LSB/±0.25 LSB的INL/DNL性能?! ?   圖5. LTC6373驅動ADAQ4003(增益 = 0.454,2 MSPS)?! ?   圖6. SNR與LTC6373增益設置,LTC6373驅動ADAQ4003(增益 = 0.454,2 MSPS)?! ?   圖7. THD與LTC6373增益設置,LTC6373驅動ADAQ4003(增益 = 0.454,2 MSPS)?! ?   圖8. INL/DNL性能,LTC6373(增益 = 1)驅動ADAQ4003(增益 = 0.454)?! DAQ4003 μModule應用案例:ATE  本節將重點介紹ADAQ4003如何適用于ATE的源表(SMU)和設備電源。這些模塊化儀器儀表用于測試快速增長的智能手機、5G、汽車和物聯網市場的各種芯片類型。這些精密儀器儀表具有拉電流/灌電流功能,每個處理程控電壓電流調節的通道都需要一個控制環路,并且它們需要高精度(特別是良好的線性度)、速度、寬動態范圍(用于測量μA/μV信號電平)、單調性和小尺寸,以容納同時增加的通道數。ADAQ4003提供出色的精密性能,可減少終端系統的器件數量,并允許在電路板空間受限的情況下提高通道密度,同時減輕了此類直流測量可擴展測試儀器儀表的校準工作和散熱挑戰。ADAQ4003的高精度與快速采樣速率相結合,可降低噪聲,并且無延遲,因此非常適合控制環路應用,可提供出色的階躍響應和快速建立時間,從而提高測試效率。ADAQ4003通過消除因自身漂移和電路板空間限制而需要在儀器儀表上分配基準電壓的緩沖區,幫助減輕了設計負擔。此外,漂移性能和元件老化決定測試儀器儀表的精度,因此ADAQ4003的確定性漂移降低了重新校準的成本,縮短了儀器儀表的停機時間。ADAQ4003滿足這些要求,使儀器儀表能夠測量較低的電壓和電流范圍,有助于針對各種負載條件優化控制環路,從而明顯改善儀器儀表的工作特性、測試效率、吞吐量和成本。這些儀器儀表的高測試吞吐量和較短的測試時間將幫助最終用戶降低測試成本。SMU高級框圖如圖9所示,相應的信號鏈如圖5所示?! ?   圖9. 源表簡化框圖?! 「咄掏滤俾手С諥DAQ4003的過采樣,從而實現較低的有效值噪聲并可在寬帶寬范圍內檢測到小振幅信號。對ADAQ4003進行4倍過采樣可額外提供1位分辨率(這是因為ADAQ4003提供了足夠的線性度,如圖8所示),或增加6 dB的動態范圍,換言之,由于此過采樣而實現的動態范圍改進定義為:ΔDR = 10 × log10 (OSR),單位dB。ADAQ4003的典型動態范圍在2 MSPS時為100 dB,對于5 V基準電壓源,其輸入對地短路。因此,ADAQ4003在1.953 kSPS輸出數據速率下進行1024倍過采樣時,它提供約130 dB的出色動態范圍,增益為0.454和0.9,可以精確地檢測出幅度極小的μV信號。圖10顯示了ADAQ4003在各種過采樣速率和1 kHz及10 kHz輸入頻率下的動態范圍和SNR?! ?   圖10. ADAQ4003各種輸入頻率下的動態范圍以及SNR與過采樣速率(OSR)?! ?   圖11. 使用信號鏈μModule技術降低總擁有成本?! 〗Y論  本文介紹了與設計精密數據采集系統相關的一些重要方面和技術挑戰,以及ADI公司如何利用其線性和轉換器領域知識開發高度差異化的ADAQ4003信號鏈μModule解決方案,來解決一些棘手的工程設計問題。ADAQ4003能夠減輕工程設計工作,如器件選擇和構建可投入量產的原型,使系統設計人員能夠更快地為最終客戶提供出色的系統解決方案?! DAQ4003 μModule器件出色的精度性能和小尺寸對各種精密數據轉換應用頗具實用價值,具體應用包括自動化測試設備(SMU、DPS)、電子測試和測量(阻抗測量)、醫療健康(生命體征監測、診斷、成像)等,以及一些工業用途(機器自動化輸入/輸出模塊)。ADAQ4003等μModule解決方案可顯著降低系統設計人員的總擁有成本(如圖11所示的各項),降低PCB組裝成本,通過提高批次產量增強生產支持,支持可擴展/模塊化平臺的設計重用,還簡化了最終應用的校準工作,同時加快了上市時間。 
    2022-11-07 3次
    德州儀器|雙TDA4VM NOA行泊一體化解決方案
      在日常生活中,代駕這個詞被越來越頻繁地使用。除了真正的司機,汽車本身也變得越來越智能,越來越成為司機的有效副駕駛。開發一個動態系統,可以幫助汽車感知,了解周圍的世界,并快速響應,汽車本身可以成為司機的有效駕駛。這樣的系統需要數據和結合計算機視覺和高效深入學習神經網絡實時處理數據的能力。我們今天介紹的雙重TDA4VMNavigateonAutopilot(NOA)泊泊一體化方案就是這樣一個系統。     NOA領航輔助駕駛實現了城市環線、高速公路、高速公路等高頻場景的點對點自動駕駛。NOA新升級的輔助駕駛ADAS在功能感受的同時,增強了自動并線、自動超車、自動上下匝道、自動路網轉換等,促進了人機共駕的到來,給用戶帶來了非凡的駕駛體驗。   當前的汽車智能化的進程中,更多的汽車配備了強大的 ADAS 功能,在以場景為核心的自動駕駛技術向無人駕駛階段過渡的過程中,NOA 領航輔助駕駛是從高級駕駛輔助 (ADAS) 到全自動駕駛 (FSD) 之間的一個重要里程,NOA 開啟了一個人機共駕的時代,創造了在典型場景下沉浸式的駕駛體驗。如何設計一個成本低廉、功能完整、靈活的硬件配置方案,是 NOA 大規模應用所面臨的挑戰?;?TI 的雙 TDA4VM 的 NOA 行泊一體化的方案平衡了算力、成本和能耗。下面跟大家具體介紹雙 TDA4VM NOA 行泊一體化解決方案該方案:   ADAS 應用  ADAS 解決方案需要從不同的傳感器集中提取數據,并將數據轉換為車輛的行駛情報。這些傳感器至少需要配備不同類型的攝像頭、雷達和超聲波等;本文展示的方案采用了兩顆 TDA4VM,接入了 11 個攝像頭、5 個毫米波雷達 12 個超聲波雷達,既 11V5R12USS 行泊一體化解決方案。其系統框圖如下圖所示,TDA4VM_A 接入了四個全景攝像頭和兩個前向攝像頭。TDA4VM_B 接入了四個側視攝像頭和一個前向攝像頭。   1、行車方面,可實現盲區檢測 (BSD)、開門預警 (DOW)、車道偏離預警 (LCW)、前向碰撞預警 (FCW)、只能遠光燈控制 (IHC)、前方穿行預警 (FCTA)、后方穿行預警 (RCTA)、后方碰撞預警 (RCW)、自適應巡航 (ACC)、車道保持輔助 (LKA)、手動變道 (PLC)、交通擁堵輔助 (TJA)、高速輔助駕駛 (HWA)、自動緊急制動 (AEB)、交互時高速公路自動駕駛 (HWP)、交互式高速公路擁堵自動駕駛 (TJP)、自動輔助導航駕駛 (NOA) 等功能;   2、泊車方面,可實現全景功能 (AVM)、自動泊車輔助 (APA)、遙控泊車輔助 (RPA)、家庭區域記憶泊車 (HAVP) 等功能;   3、安全方面,TI Jacinto? 7 處理器有 GP 和 HS (high security) 芯片,內部集成了 ASIL D 的 MCU,High security 的芯片可支持安全啟動和安全關鍵功能,從而使用戶的產品能夠滿足汽車的質量和可靠性目標。   TI 安全框架  4、可擴展性,TDA4VM 處理器屬于異構多核的架構,除了 ARM A72、數字信號處理 C7x/C66、MCU R5F 等計算核,內部 VPAC、DMPAC 等加速器有效降低了主核的負載,從而使得應用可以靈活部署,推動持續的功能定制、優化、擴展。   5、算力方面,本方案采用了雙 TDA4VM 芯片,單芯片 C7x/MMA 可以實現 8TOPS 算力,總算力 16TOPS 算力,即可實現所介紹感知功能。TDA4VM_A 芯片的 AI 算力主要用于全景攝像頭、前向攝像頭 1、前向攝像頭 2 的感知。TDA4VM_B 芯片的算力 AI 主要應用于側視攝像頭和前向攝像頭 3 的感知。   系統的開發必須具有較高性價比,才能實現廣泛而有效的利用。采用雙 TDA4VM 的 NOA 行泊一體的方案,平衡了算力、成本、和功耗,豐富的行車、泊車功能及高安全的系統,給用戶帶來了厘米級的控制精度,安全舒適的沉浸式的駕乘體驗。   TI 最新一代 Jacinto? 7 ADAS TDA4VM 處理器在芯片上集成了關鍵的功能安全特性,高性能片上系統 (SoC) 的重要性在于它可以進行并行處理。 Jacinto7 TDA4 處理器可以從簡單的情況(更少的傳感器,更低的分辨率)擴展到最復雜的情況,并有助于降低系統成本,從而實現 ADAS 技術大眾化和普及化。雙 TDA4VM NOA 行泊一體化方案是實現計算能力、成本和能耗平衡的完美答案。TDA4x 以領先的集成度和豐富的 ADAS 功能引領汽車智能駕駛的新時代。 
    2022-11-04 17次
    亞德諾AD4000 ADC系列簡化驅動方案
      自動測試設備、機器自動化、工業和醫療儀器設備等應用需要精確的數據采集系統,以便準確地分析和數字物理或模擬信息。系統設計師為了實現高分辨率精度逐步接近型(SAR)ADC數據手冊中列出的高性能往往不得不使用特殊的大功率和高速放大器來驅動其精確使用中的傳統開關電容器SARADC輸入。這是設計精密數據收集信號鏈時常見的難點。本文介紹的引腳兼容性AD4000ADC這個系列可以解決這個問題。本系列16/18/20精密SARADC選用ADI先進的技術和先進的架構模型,集成了各種簡單易用的特性,提供了許多系統級的優勢,有利于降低信號鏈的功耗和復雜性,提高通道密度,但性能沒有顯著降低。高電阻模式、低輸入電流和長采集期的獨特結合減少了ADC驅動挑戰難度與對ADC驅動器的施工要求。所以,驅動ADC精密放大器可以加寬到較低的功率/帶寬,包括直流或低頻(kHz)應用所用的JFET和儀器放大器。本文將介紹各種較低的產品RC精密放大器可以直接驅動濾波器的截止頻率ADC,同時實現更好的性能,不需要特殊性能ADC驅動器級,系統功耗大大降低,電路板面積和BOM成本。   驅動傳統SAR ADC輸入  圖1顯示了構建精密數據采集系統時使用的典型信號鏈。受開關電容輸入結構影響,高分辨率精密SAR ADC的驅動一直是系統設計人員的主要痛點和棘手問題?! ? 圖1. 典型的精密數據采集信號鏈   系統設計師需要密切關注ADC驅動器數據手冊,了解噪聲、失真、輸入/輸出電壓上裕量/下裕量、帶寬和建立時間等技術規格。一般地,采用的高速ADC驅動器需要具備寬帶寬、低噪聲和高功率等特征,以便在可用采集時間內建立SAR ADC輸入的開關電容反沖。這項要求會大幅減少可用于驅動ADC的放大器選擇,不得不在性能/功率/面積方面進行大幅妥協。另外,選擇一款合適的RC濾波器置于驅動器與ADC輸入之間,這項要求又對放大器選擇和性能構成了進一步的限制。ADC驅動器輸出與SAR ADC輸入之間需要用RC濾波器來限制寬帶噪聲,減少電荷反沖的影響。一般情況下,系統設計師需要花費大量時間去評估信號鏈,確保所選ADC驅動器和RC濾波器能切實驅動ADC,以實現所需性能?! ∪鐖D2中的時序圖所示,SAR ADC吞吐速率(1/周期時間)包括轉換和采集兩個階段,ADC產生的數據可利用串行SPI接口在采集階段輸出。在傳統SAR架構中,轉換階段通常較長而采集階段較短。在轉換階段,ADC電容DAC與ADC輸入斷開,以執行SAR轉換。輸入在采集階段重新連接,ADC驅動器必須在下一個轉換階段開始之前將非線性輸入反沖建立至正確的電壓。由于較低截止頻率的RC濾波器,ADC驅動器無法在可用采集時間內消除傳統SAR ADC反沖,ADC失真/線性度性能因而下降?! ? 圖2. 傳統SAR ADC時序圖     圖3. AD4000 ADC系列時序圖,包括輸入反沖   較長采集階段AD4000 ADC系列的轉換時間非常短(290 ns),ADC會在當前轉換過程結束前100 ns返回采集階段,因而采集階段較長,如圖3所示。即使高輸入阻抗(Z)模式禁用,從該ADC系列輸入端看到的非線性反沖也顯著降低;當高阻態模式使能時,非線性反沖降至幾乎可忽略不計的程度。這可以降低ADC驅動器的建立時間負擔,并且支持較低的RC截止頻率和較大R值,因此噪聲較高且/或功耗/帶寬較低的放大器也可以使用。這樣便可基于目標信號帶寬,而非基于開關電容輸入的建立要求來選擇ADC之前的放大器和RC濾波器。RC濾波器可以使用較大的R值和較小的對應C值,減少放大器穩定性問題,同時也不會大幅影響失真性能。較大的R值有助于在過壓情況下保護ADC輸入,并降低放大器的動態功耗。較長采集階段的另一個好處是它支持低SPI時鐘速率,從而可以降低輸入/輸出功耗,拓寬處理器/FPGA選擇范圍,簡化數字隔離要求,而ADC吞吐速率不受影響。   高阻態模式  AD4000 ADC系列集成了一個高阻態模式,在采集開始時,該模式可以在電容DAC切換回輸入時減少非線性電荷反沖。使能高阻態模式時,電容DAC在轉換結束時充電,以保持上次采樣的電壓。這一過程可以減少轉換過程的任何非線性電荷效應,該效應會影響到下次采樣前在ADC輸入端采集的電壓。高阻態模式的好處是無需專用高速ADC驅動器,可以選擇較低功率/帶寬的精密放大器,包括針對低頻(<10 kHz)或直流信號的JFET和儀表放大器?! D4所示為 AD4003/AD4007/AD4011 在高阻態模式使能/禁用時的輸入電流。低輸入電流使ADC比市場上現有的傳統SAR ADC更易驅動,即便是在高阻態模式禁用的情況下。如果將圖4中高阻態模式禁用時的輸入電流與上一代 AD7982 ADC的輸入電流進行比較,會發現AD4007在1 MSPS條件下的輸入電流降低了4倍。高阻態模式使能時,輸入電流進一步降至亞微安級?! 〈薃DC系列較低的輸入電流,使得我們能以比傳統SAR高得多的源阻抗來驅動它。這意味著,RC濾波器中的電阻值可以比傳統SAR設計大10倍?! ? 圖4. 高阻態使能/禁用條件下AD4003/AD4007/AD4011 ADC輸入電流與輸入差分電壓的關系   精密放大器直接驅動亞德諾AD4000 ADC系列  對于多數系統,前端(非ADC本身)通常會限制信號鏈可以實現的整體交流/直流性能。從圖5和圖6所選的精密放大器數據手冊中可以看出,精密放大器自身的噪聲和失真性在某個輸入頻率下決定了SNR和THD規格。然而,這種帶高阻態模式的ADC系列極大地拓寬了驅動放大器的選擇范圍,包括信號調理級中使用的精密放大器,同時提高了RC濾波器選擇的靈活性,而且對于選定放大器,仍能實現較優性能?! D5和圖6顯示了AD4003/AD4020 ADC的SNR和THD性能,采用低功耗 ADA4692-2 (IQUIESCENT = 180 μA/放大器)、低輸入偏置JFET ADA4610-1 (IQUIESCENT = 1.5 mA/放大器)和零交越失真 ADA4500-2 (IQUIESCENT = 1.55 mA/放大器)精密放大器,使用1 kHz輸入音驅動ADC輸入,基準電壓為5 V,以最高吞吐速率運行,高阻態模式使能和禁用兩種情況,并使用不同的RC濾波器值。使能高阻態模式時,對于260 kHz和498kHz的較低RC帶寬,ADA4692-2和ADA4610-1放大器可實現98 dB以上的典型SNR,這有助于在目標信號寬帶較低時,消除來自上游信號鏈組件的寬帶噪聲。根據應用要求,設計人員可以選擇合適的精密放大器來驅動ADC輸入。例如,ADA4692-2軌到軌放大器更適合便攜式、功耗敏感型應用,能夠直接驅動該ADC系列,同時仍能實現較優性能?! ≡诟咦钁B模式使能的情況下使用此類放大器時,即便RC帶寬低于1.3 MHz,R值大于390 Ω,AD4003/AD4020 SNR也會提高至少10dB;RC濾波器截止頻率為4.42 MHz時,THD保持在–104 dB以上。注意,該ADC系列可利用最高吞吐速率來進行過采樣,從而以較低RC濾波器截止頻率實現更好的SNR性能?! ? 圖5. AD4003/AD4020 SNR與RC帶寬的關系,使用ADA4692-2、ADA4610-1和ADA4500-2精密放大器, fIN = 1 kHz, REF = 5 V    圖6. AD4003/AD4020 THD與RC帶寬的關系,使用ADA4692-2、ADA4610-1和ADA4500-2精密放大器, fIN = 1 kHz, REF = 5 V 使能高阻態模式時,AD4003/AD4020通常會消耗2 mW/MSPS至2.5mW/MSPS的額外功耗,但這仍然顯著低于使用 ADA4807-1之類專用ADC驅動器時的功耗,而且這還能節省PCB面積和物料成本。系統設計師可以使用功耗低5.5倍的ADC驅動器ADA4692-2(相比ADA4807);當高阻態模式禁用時,對于2.27 MHz和4.47 MHz RC帶寬,此ADC仍能實現約96 dB的典型SINAD。高阻態模式使能時,使用ADC驅動器驅動ADC,SNR/THD性能更好;高阻態模式禁用時,需要權衡ADC SNR/THD性能與RC濾波器截止頻率。   儀表放大器直接驅動AD4000 ADC系列  儀表放大器提供出色的精密性能、共模抑制和高輸入阻抗,可與傳感器直接接口,但小信號帶寬一般較低(<10 MHz)。利用SAR ADC和儀表放大器設計精密信號鏈(如ATE和醫療設備)的客戶,在將信號送至ADC輸入端之前,通常會使用信號調理或驅動器級,以便轉換電平和消除反沖?! D7所示為AD8422 直接驅動AD4000的簡化框圖,高阻態模式使能,消除了驅動器級,節省了電路板空間?;谀繕藥掃x擇優化的RC濾波器值600 Ω和25 nF,消除10 kHz以上的寬帶噪聲。AD8422的REF引腳偏置到VREF/2,并利用ADA4805進行緩沖以實現優質性能。對于100 Hz和1 kHz輸入信號,在增益(通過RG設置)為1(無RG)和10 (RG = 2.2 kΩ)時,此信號鏈提供最優SNR和THD性能。圖8和圖9顯示,當高阻態模式使能,增益為1和10,對于100 Hz輸入信號和最高2 MSPS的每種吞吐速率,ADC實現了91 dB以上的SNR和–96dB以上的THD。從圖8和圖9可看出,隨著ADC吞吐速率降低,采集時間更長,有利于消除輸入反沖,因此SNR和THD性能略有提高?! ? 圖7. 儀表放大器AD8422 (G = 1)直接驅動AD4000精密SAR ADC的簡化框圖     圖8. AD4000 SNR與吞吐速率的關系,AD8422配置增益為1和10,高阻態模式使能     圖9. AD4000 THD與吞吐速率的關系,AD8422配置增益為1和10,高阻態模式使能   總結:  表1顯示了不同速度和輸入類型的AD4000系列引腳兼容、低功耗16/18/20位精密SAR ADC,這些器件集易用特性和精密性能于一體,有助于設計人員解決系統級技術難題?! ? 表1. AD4000系列引腳兼容精密SAR ADC   ADI亞德諾AD4000 ADC系列的高阻態模式、低輸入電流和較長采集階段的獨特組合,簡化了驅動要求,消除了專用高速ADC驅動器級,有助于節省PCB面積、功耗和BOM成本,同時拓寬了ADC驅動器選擇范圍。此外,這些特點使得設計人員可根據目標帶寬優化RC濾波器值,減輕對寬帶噪聲、放大器穩定性、ADC輸入保護和動態功耗的擔心。本文說明了精密放大器的各種使用情形,包括儀表放大器直接驅動該ADC系列輸入,并解釋了該系列產品如何有助于解決常見系統級問題,而不會顯著影響精密性能。 
    2022-11-04 15次
    中國國產芯片現在怎么樣?
      中國芯片現在怎么樣?無論如何,這些都難以阻擋如今“國產替代”的大趨勢,隨著接下來,國內半導體供應鏈的重塑,加上越來越多企業開始選擇國產芯片,形勢的逼迫下,國內內生循環市場終將打開,本土芯片廠商尤其是汽車芯片企業有望迎來最好的發展時段?!皣a替代”?,勢在必行!?中國國產芯片現在的廠家,隨著中國經濟的發展,中國企業對芯片的需求越來越大。那知名芯片制造商呢?來看看中國知名芯片企業。   紫光展銳  在5G和AI領域積累頗深  紫光展銳是紫光系統的重要芯片平臺,位于50G和AI該領域有深厚的積淀,其產品主要有5個G大型基帶芯片SoC芯片(將CPU,GPU,系統級芯片(如調制調解器)、泛連接芯片(包括射頻、藍牙、物聯網等泛連接芯片)?! ∽瞎庹谷鹩烧褂嵑腿鸬峡坪喜⒍?。2000年,清華77級同學陳大同回國成立手機芯片設計公司展訊通信(以下簡稱“展訊”),展訊于2007年登陸納斯納克。2013年,紫光集團花費17.8億美元收購展訊。2014年,紫光集團以9.1億美元收購了瑞迪科。瑞迪科是一家物聯網芯片設計公司,2004年在上海成立,2011年在納斯達克上市。2018年,在趙偉國的交易下,展訊和瑞迪科合并為紫光展銳,開辟了移動通信和物聯網兩大領域的核心芯片?! 〈撕?,許多清華學生,如曾學忠(物理系92級,后成立匯鑫通信)、刁石景(曾任工業和信息化部電子信息司司長)、紫光展瑞等CEO。在5G一方面,紫光展銳于2018年9月發布“春藤”(5G基帶芯片),“虎賁”(5GSoCCpu)加快向中高端產品線布局的兩大品牌?! 「鶕袊雽w工業協會發布的2018年中國集成電路IC設計TOP紫光展銳排名第二,僅次于華為海思。但在2019年的榜單中,紫光展銳已經跌至第五位。值得一提的是,紫光展銳擁有2G到5G華為海思是中國僅有的兩家手機芯片平臺公司之一,擁有完整的手機芯片技術。由于華為海思的手機芯片不銷售,紫光展瑞是中國唯一的第三方手機芯片供應商。近年來,國內手機出貨量有所下降,紫光展瑞的業績受到影響,但仍具有較高的戰略價值。目前,紫光展瑞正計劃登陸科技創新委員會。    紫光國微  聚焦安全芯片,直供軍工份額大  紫光國威,也是一個紫光系統,是安全芯片的主要供應商。其商品涵蓋航空、航空航天、道路設備、船舶等領域,直接供應給軍工行業的份額相對較大。其主要業務平臺有三個:深圳國微電子、同心微電子和紫光創新?! ∑浜诵姆止旧钲趪㈦娮又饕洜I專用集成電路,是紫光國微最大的利潤來源。2019年,紫光國微電子凈利潤同比增長39.54%至34.4億元,歸屬于母公司的凈利潤同比增長16.61%至4.06億元,而國微電子凈利潤5.06億元(占比124.66%),甚至超過了紫光國微的整體凈利潤?! ×硪患曳止就奈⒅饕洜I智能安全芯片,受下游需求驅動,其收入從2012年的3.32億元增加到2019年的12.12億元,復合年增長率達到20.31%。但由于商品多處于中低檔領域,門檻低,競爭激烈,盈利能力下降?! ∽瞎鈬⒊止?6.5%的紫光同創,是國內的FPGA基于可編程設備的芯片(PAL,GAL發展而來,是集成電路半定制、可編程的龍頭企業。FPGA芯片編譯難度很大,市場份額基本被賽靈思和英特爾壟斷。它們分別占全球份額的51.1%和35.8%,國內份額分別為48%和33%。中國本土廠商在國內市場的份額只有3%,還處于起步階段。然而,近年來,他們在技術和產業化方面取得了突破。例如,2015年,紫光同創在中國推出了第一個擁有完全自主產權的數千萬高性能FPGA商品“Titan”系列芯片;2018年,紫光同創PGT180H通過中興通訊和新華三集團的檢測,芯片首次實現國產化FPGA芯片在通信市場的量產應用。紫光國微2021年1月宣布,擬發行可轉債,募集資金不超過15億元,用于“新型高端安全系列芯片研發產業化項目”,“車載控制器芯片研發及產業化項目”并補充營運資金,目前,該事項已經財政部和證監會批準。    兆易創新  深度培育存儲市場,與長信存儲攜手推動自主研發DRAM  兆易創新成立于2005年,是國內領先的存儲芯片。其主要業務是閃存芯片及其衍生品、微處理器產品和傳感器模塊,主要應用于消費市場。目前正在進入工控、汽車電子等高端市場。2019年,存儲芯片業務收入占趙一創新總收入的79.79%?! 鴥韧馄髽I在存儲芯片領域差距較大,中國內地企業的全球市場份額僅為1%?! 〈鎯π酒梢院唵蔚胤譃殚W存和內存,主要是內存DRAM(動態隨機存儲器),閃存主要包括NAND閃存和NOR閃存(代碼型閃存芯片)按市場規模排序DRAM,NAND閃存,NOR閃存?! ∧壳?,兆易創新的產品線包括NOR閃存,NAND閃存,MCU,DRAM商品。在NOR在約30億或40億美元的小市場中,兆易創新是世界主要參與制造商之一。其他主流供應商是中國臺灣王和美國Cypress,美國美光,中國臺灣省華邦?! RAM最重要的半導體市場細分是趙一創新的重點。2019年,其與合肥產業投資,合肥長鑫集成電路(簡稱“合肥長鑫”)簽訂合作協議,同意以可轉換債券的形式處理工藝19nm12英尺晶體存儲器研發項目投資3億元。兆益創新主要負責研發和分銷階段。成功開發商品后,兆益創新將移交給長信12英尺內存晶圓制造基地(以下簡稱“長鑫存儲”)代工生產,這樣既能切入廣闊的生產DRAM市場也免于承擔高額資本支出的壓力。此外,創新已基本建立DRAM分銷系統?! ∧壳?,中國是主要的DRAM生產廠家有福建金華、合肥長鑫、紫光南京,但紫光南京的量產階段仍在臺灣省力晶進行,只有福建金華和合肥長鑫為大陸生產。長鑫存儲的DRAM內存技術主要來自破產的德國奇夢達。奇夢達被英飛凌半導體剝離DRAM芯片公司。長信存儲屬于合肥DRAM506項目是安徽省和合肥市的重點項目,也是安徽省單一投資規模最大的工業項目。它將建成中國第一個擁有最大規模和最先進技術的自主研發項目DRAM制造基地;股東為合肥產業投資(出資99.75%)和合肥產業投資新興戰略產業發展公司(出資0.25%)。目前,長信存儲月產能已達4萬片/月,徹底打破了海外企業的壟斷。    長江儲存  128層堆疊NAND閃存芯片,達到世界領先地位  與長信存儲類似,長江存儲由清華企業與地方政府和國家集成電路產業投資基金(以下簡稱“大基金”)聯合成立,但主攻方向不同?! ¢L江倉儲是由紫光集團和武漢新芯片共同成立的國家倉儲芯片基地項目,致力于12英寸3英寸DNAND開發和制造閃存。DRAMExchange數據,NAND三星、東芝、閃迪、美光、海力士和英特爾是閃存市場的主要參與者,其中三星的市場份額約為36%?! ¢L江背后的長江存儲團隊實力雄厚。2018年5月,工業和信息化部電子信息司前司長刁世景加入紫光集團,擔任包括長江存儲在內的芯片業務的聯合總裁。此前,電子信息司前副司長彭紅兵曾擔任大型基金副總裁、長江存儲監事會主席?! ∈灼谕顿Y超過240億美元的長江存儲。自2018年以來,它不斷取得技術突破,從最初的32層堆疊開始NAND閃存,64層,128層技術躍進,目前128層堆疊NAND實現了閃存量產出貨,良品率也高達75%?! 〈送?,長江存儲計劃在2021年實現192層DNAND閃存試生。閃存芯片巨頭美光,SK海力士最先進的水平是192層堆疊NAND閃存,這意味著長江儲存已經達到了世界領先地位。此外,到2021年下半年,長江存儲計劃將存儲芯片的月產量增加一倍,達到10萬個圓形晶體,約占全球總產量的7%。據悉,三星電子目前每月生產約48萬個圓形晶體,而美光的月產量約為18萬個。這將進一步降低中國內存芯片的進口依賴性。    韋爾股份、格科微  國內CMOS龍頭  在國內CMOS(圖像傳感器)領域,清華系公司位居龍頭地位,這要歸因于第一代清華系半導體公司豪威科技(Omnivision)的“人才孵化”作用。韋爾股份與格科微就是受益者?! ?018年,虞仁榮旗下的韋爾股份從校友陳大同手中,接盤了私有化后的豪威科技。2019年,韋爾股份又完成了對中低端CMOS公司——思比科、視信源的收購,從而掌握了CMOS領域的高中低端技術,一躍成為國內龍頭。完成收購后,韋爾股份業績大爆發,2019年營收同比增長41%至136億元,歸母凈利潤為4.66億元,同比增長221%?! 〕撕劳萍?,國內第二大CMOS芯片廠商格科微目前正在沖刺科創板,其創始人趙立新同樣來自清華,與虞仁榮、馮晨暉、趙立東等同是電子系85級畢業?! 〔贿^,格科微發軔于低端市場。2003年9月,在海外工作了8年的趙立新回國,創建格科微,從電腦攝像頭起步。2008年推出成本低于競爭對手20%的新產品后,格科微在國內手機圖像傳感器市場的份額從第三變成第一,成為全球低端圖像傳感器最大的供應商。值得一提的是,聞泰科技創始人張學政通過聞天下公司,持有格科微0.79%的股權。曾擔任豪威科技COO的何新平(電子系80級),創業領域同樣選擇了CMOS。2011年,在豪威科技任職15年的何新平創立了晶相光。晶相光是CMOS領域少數專攻安防監控市場的公司,其還強攻生物芯片,成功開發了基因定序芯片,2018年在中國臺灣掛牌上市。    卓勝  深耕射頻前端芯片  同樣來自清華電子系85級的馮晨暉,于2006年成立了卓勝微?! ∽縿傥⒊跏紭I務為數字電視、移動電視芯片,2010年后,以LNA(射頻低噪聲放大器)以及射頻開關為切入點,開始轉型射頻前端芯片的研發和銷售,2012年后形成完善的布局,陸續推出了包括GPS LNA、WiFi開關、天線調頻開關tuner、射頻通信LNA等產品,逐漸打入三星、小米、OPPO、vivo、華為等主要安卓品牌廠商的供應鏈,成為國內最大的射頻前端供應商、全球排名第五的射頻開關企業?! ∩漕l開關是卓勝微傳統核心業務,2020年上半年,其相關業務收入為8.53億元,同比增長93.04%,占總營收的85%,并成功實現安卓一線終端品牌全覆蓋?! ∽縿傥⒌母偁幜υ谟?,其技術革新允許不同系列的射頻開關在生產過程中共用底層模具,從而大幅縮短備貨周期,降低了研發成本?! ∩漕l模組的研發難點在于同時支持4G/5G的全頻段高復雜度模組,而高復雜度模組核心在于高性能濾波器及多工器的設計能力。2020年10月,卓勝微擬定增30億元布局濾波器及雙工器模組研發,其中,濾波器項目總投資金額達到22.74億元,接近其上市募集資金的3倍。射頻前端的本土替代是黃金機遇,國產廠商需要的不是賽道創新,而是技術攻關,通過自主研發高性能濾波技術和PA設計工藝,實現4G/5G射頻芯片的產品化、小型化、模組化。即使對國產替代進程充滿信心,但國際半導體龍頭的資本開支動輒百億美元起,國產廠商的體量與投入規模尚難以與之相比,國產替代道路上險阻重重。    飛昂通訊、燧原科技  新秀崛起  芯片初創公司——飛昂通訊值得期待,其有望填補國內高端光纖芯片市場空白。2014年,畢業于清華電子系的毛蔚、白昀夫婦回國創辦了飛昂通訊,專注于光纖和有線通訊領域集成電路的研發。2017年,飛昂通訊成為國內首家量產25G/100G高速光互連收發芯片的企業,打破了高端光通信芯片被國外廠商壟斷的局面?! ×硪粋€崛起的清華系芯片公司,則是做AI芯片的燧原科技。其創始人趙立東(電子系85級)曾任職于AMD中國,后赴銳迪科任總裁,2018年3月創立燧原科技。燧原科技創業團隊主要來自AMD,其推出了中國首枚自主研發的人工智能高端訓練芯片?! §菰萍荚谛酒Ρ蝗耸熘氖牵簞摷o錄地用18個月,將技術門檻最高的AI訓練芯片“邃思”一次性流片成功,并于2019年12月對外發布基于“邃思”的云端訓練加速卡“云燧T10”,直接PK在這一領域處于壟斷地位的英偉達Tesla V100?! ?021年1月15日,燧原科技宣布完成C輪18億元融資。這距其上一輪7億元融資僅僅間隔了不到8個月。值得一提的是,成立不到3年,燧原科技累計融資超過31億元。而每一輪投資機構中,都有騰訊。 
    2022-11-03 55次
    光子芯片的種類和工藝探索
        光子芯片各類有很多,根據不同的材料和工藝,不同工藝的芯片發揮不同的性能。市場上最常見的芯片是由硅材料制成的電子芯片。芯片線路用光刻機曝光,然后在芯片制造過程中集成數十億根晶體管?! 【w管數量越多,電子傳輸速度就越高。但在有限的芯片尺寸下,由于摩爾定律極限的到來,晶體管的總數很難增加?! ?   指甲蓋大小的芯片很難集成數百億根晶體管。如果你想繼續突破,要么改進光刻機設備工藝,要么改進制造工藝,這并不容易?! ≡谶@種情況下,不斷探索不同材料和工藝的芯片制造方法。例如,碳基芯片是由石墨烯制成的,量子技術是量子芯片的探索?! 〈送?,由砷化鎵等第二代半導體材料制成的光子芯片也成為業界關注的焦點?! 」庾有酒母拍詈苋菀桌斫?,它選擇光波作為信息傳輸的媒介,在集成光學中模擬光信號,最終作用于芯片。光子芯片從材料到制造工藝與傳統電子芯片有很大的不同?! 」庾有酒ǔ2捎玫诙雽w砷化鎵、磷化鎵等材料,具有高帶寬、高導熱性,保證了光子芯片的高速傳輸。與電子芯片相比,光子芯片的處理速度提高了1000倍,功耗是電子芯片的九萬分之一?! 〈送?,光子芯片不需要依賴高端EUV光刻機,其結構簡單,幾百納米的工藝工藝能滿足各行各業的需要?! 」庾有酒奶剿饕呀洀睦碚撧D向實踐。據業內人士透露,中國第一條光子芯片生產線將于明年建成,目前正在規劃中。能夠滿足通信、數據中心等領域的需求?! ‘斈柖擅媾R極限時,開發其他芯片材料肯定會成為一種趨勢。在復雜的半導體工業環境中,突破規則封鎖已成為一項重要工作,因此在光子芯片的討論話題中,換道超車已成為一個高頻詞。 
    2022-11-03 30次
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