光子芯片各類有很多,根據不同的材料和工藝,不同工藝的芯片發揮不同的性能。市場上最常見的芯片是由硅材料制成的電子芯片。芯片線路用光刻機曝光,然后在芯片制造過程中集成數十億根晶體管。
晶體管數量越多,電子傳輸速度就越高。但在有限的芯片尺寸下,由于摩爾定律極限的到來,晶體管的總數很難增加。
指甲蓋大小的芯片很難集成數百億根晶體管。如果你想繼續突破,要么改進光刻機設備工藝,要么改進制造工藝,這并不容易。
在這種情況下,不斷探索不同材料和工藝的芯片制造方法。例如,碳基芯片是由石墨烯制成的,量子技術是量子芯片的探索。
此外,由砷化鎵等第二代半導體材料制成的光子芯片也成為業界關注的焦點。
光子芯片的概念很容易理解,它選擇光波作為信息傳輸的媒介,在集成光學中模擬光信號,最終作用于芯片。光子芯片從材料到制造工藝與傳統電子芯片有很大的不同。
光子芯片通常采用第二代半導體砷化鎵、磷化鎵等材料,具有高帶寬、高導熱性,保證了光子芯片的高速傳輸。與電子芯片相比,光子芯片的處理速度提高了1000倍,功耗是電子芯片的九萬分之一。
此外,光子芯片不需要依賴高端EUV光刻機,其結構簡單,幾百納米的工藝工藝能滿足各行各業的需要。
光子芯片的探索已經從理論轉向實踐。據業內人士透露,中國第一條光子芯片生產線將于明年建成,目前正在規劃中。能夠滿足通信、數據中心等領域的需求。
當摩爾定律面臨極限時,開發其他芯片材料肯定會成為一種趨勢。在復雜的半導體工業環境中,突破規則封鎖已成為一項重要工作,因此在光子芯片的討論話題中,換道超車已成為一個高頻詞。