高速光通信芯片
光通信行業概況
隨著全球信息互聯網規模的不斷擴大,高速光通信芯片網絡、純電子信息計算和傳輸能力的提高遇到瓶頸,光電信息技術正在崛起。在傳統的通信傳輸領域,早期通過電纜進行信號傳輸,但電力傳輸損耗大,中繼距離短,承載信息量小,信號頻率有限,光作為媒體具有容量大、成本低的優點,商業傳輸領域逐漸被光通信系統所取代。隨著技術的發展和完善,光電信息技術的應用逐漸擴展到醫療、消費電子、汽車等新興領域,為行業的發展提供了增長空間。
光通信是以光信號為信息載體,以光纖為傳輸介質,通過電光轉換和光信號傳輸信息的系統。在光通信系統傳輸信號的過程中,發射器通過激光芯片轉換電光,將電信號轉換為光信號,通過光纖傳輸到接收器,接收器通過探測器芯片轉換光電,將光信號轉換為電信號。
高速光芯片是當代高速通信網絡的核心之一。光芯片是實現光電信號轉換的基本元件,其性能直接決定了光通信系統的傳輸效率。光纖接入,4G/5G在移動通信網絡和數據中心等網絡系統中,光芯片是決定信息傳輸速率和網絡可靠性的關鍵。光芯片可進一步組裝加工成光電子設備,然后集成到光通信設備的收發模塊中,實現廣泛應用。光芯片在光通信系統中的應用如下:
(1)光芯片屬于半導體領域, 位于光通信產業鏈上游,是現代光通信器件核心元件
光通信等應用領域中,
激光器芯片和探測器芯片合稱為光芯片。光芯片是光電子器件的重要組成部分,是半導體的重要分類,其技術代表著現代光電技術與微電子技術的前沿研究領域,其發展對光電子產業及電子信息產業具有重大影響。光芯片之于半導體的關系示意圖如下:
從產業鏈角度看,光芯片與其他基礎構件(電芯片、結構件、輔料等)構成光通信產業上游,產業中游為光器件,包括光組件與光模塊,產業下游組裝成系統設備,最終應用于電信市場,如光纖接入、
4G/5G 移動通信網絡,云計算、互聯網廠商數據中心等領域。
光通信產業鏈示意圖如下:
光通信產業鏈中, 組件可分為光無源組件和光有源組件。
光無源組件在系統中消耗一定能量,實現光信號的傳導、分流、阻擋、過濾等“交通”
功能,主要包括光隔離器、光分路器、光開關、光連接器、光背板等;光有源組件在系統中將光電信號相互轉換,實現信號傳輸的功能,主要包括光發射組件、光接收組件、光調制器等。
光芯片加工封裝為光發射組件(TOSA)及光接收組件(ROSA),再將光收發組件、電芯片、結構件等進一步加工成光模塊。光芯片的性能直接決定光模塊的傳輸速率,是光通信產業鏈的核心之一。
(2)光芯片的基本類型
?、俟δ芊诸? 光芯片按功能可以分為激光器芯片和探測器芯片,其中激光器芯片主要用于發射信號,將電信號轉化為光信號,探測器芯片主要用于接收信號,將光信號轉化為電信號。
激光器芯片,按出光結構可進一步分為面發射芯片和邊發射芯片,面發射芯片包括VCSEL 芯片,邊發射芯片包括 FP、 DFB 和 EML 芯片;
探測器芯片,主要有 PIN 和 APD 兩類。
具體情況如下:
A、 激光器芯片
激光器芯片主要有VCSEL、FP、DFB和EML,具體特點如下:
B、 探測器芯片
探測器芯片主要有 PIN 和 APD,具體特點如下所示:
?、谠牧戏诸? 光芯片企業通常采用三五族化合物磷化銦( InP)和砷化鎵(
GaAs)作為芯片的襯底料,相關材料具有高頻、高低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強等優點,符合高頻通信的特點,因而在光通信芯片領域得到重要應用。
其中,磷化銦(InP)襯底用于制作 FP、 DFB、 EML 邊發射激光器芯片和 PIN、
APD探測器芯片,主要應用于電信、數據中心等中長距離傳輸;砷化鎵( GaAs)襯底用于制作 VCSEL 面發射激光器芯片, 主要應用于數據中心短距離傳輸、
3D感測等領域。
(3)光芯片的發展概況
光通信指的是以光纖為載體傳輸光信號的大容量數據傳輸方式,通過光芯片和傳輸介質實現對光的控制。20 世紀 60
年代,激光器芯片技術和低損耗光纖技術出現,激光器芯片材料和結構不斷發展,逐步實現對激光運行波長、色散問題、光譜展寬等的控制。
經過結構設計、組件集成和生產工藝的改進,目前 EML 激光器芯片大規模商用的最高速率已達到 100G, DFB 和 VCSEL
激光器芯片大規模商用的最高速率已達到
50G。在不斷滿足高帶寬、高速率要求的同時,光芯片的應用逐漸從光通信拓展至包括醫療、消費電子和車載激光雷達等更廣闊的應用領域。
2、光芯片行業的現狀
(1)光芯片行業國外起步較早技術領先,國內政策扶持推動產業發展
?、贇W美日國家光芯片行業起步較早、技術領先
光芯片主要使用光電子技術,海外在近代光電子技術起步較早、積累較多,歐美日等發達國家陸續將光子集成產業列入國家發展戰略規劃,其中,美國建立“國家光子集成制造創新研究所”,打造光子集成器件研發制備平臺;歐盟實施“地平線
2020”
計劃,集中部署光電子集成研究項目;日本實施“先端研究開發計劃”,部署光電子融合系統技術開發項目。海外光芯片公司擁有先發優勢,通過積累核心技術及生產工藝,逐步實現產業閉環,建立起較高的行業壁壘。
海外光芯片公司普遍具有從光芯片、光收發組件、光模塊全產業鏈覆蓋能力。除了襯底需要對外采購,海外領先光芯片企業可自行完成芯片設計、
晶圓外延等關鍵工序,可量產 25G
及以上速率光芯片。此外,海外領先光芯片企業在高端通信激光器領域已經廣泛布局,在可調諧激光器、超窄線寬激光器、大功率激光器等領域也已有深厚積累。
?、趪鴥裙庑酒試a替代為目標,政策支持促進產業發展
國內的光芯片生產商普遍具有除晶圓外延環節之外的后端加工能力,而光芯片核心的外延技術并不成熟,高端的外延片需向國際外延廠進行采購,限制了高端光芯片的發展。以激光器芯片為例,我國能夠規模量產
10G 及以下中低速率激光器芯片,但 25G 激光器芯片僅少部分廠商實現批量發貨, 25G 以上速率激光器芯片大部分廠商仍在研發或小規模試產階段。
整體來看高速率光芯片嚴重依賴進口,與國外產業領先水平存在一定差距。我國政府在光電子技術產業進行重點政策布局, 2017
年中國電子元件行業協會發布《中國光電子器件產業技術發展路線圖( 2018-2022 年)》,明確 2022年 25G 及以上速率 DFB 激光器芯片國產化率超過
60%,實現高端光芯片逐步國產替代的目標。國務院印發“十三五” 國家戰略性新興產業發展規劃,要求做強信息技術核心產業,推動光通信器件的保障能力。
2022-11-08
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